[发明专利]LED芯片检测方法

权利要求书

1.一种LED芯片检测方法，其特征在于，包括：

提供一检测基板，所述检测基板包括多个芯片检测位，所述芯片检测位为凹槽；

在每个所述芯片检测位表面形成压电层；

在形成所述压电层的检测基板表面形成柔性导电层；

所述柔性导电层分为两段，一段位于所述芯片检测位底部，一段位于所述芯片检测位之外，分别对应接触所述LED芯片的两个电极；

将多个LED芯片批量转移至所述检测基板；

对所述多个LED芯片表面施加压力以及对所述检测基板施加电压，以对所述LED芯片进行检测。

2.如权利要求1所述的LED芯片检测方法，其特征在于，在每个所述芯片检测位表面形成压电层之前，还包括：

在所述检测基板上除所述芯片检测位之外的表面形成绝缘层。

3.如权利要求2所述的LED芯片检测方法，其特征在于，在所述压电层上形成柔性导电层包括：

在所述压电层表面和所述绝缘层表面形成柔性导电层。

4.如权利要求1所述的LED芯片检测方法，其特征在于，将多个LED芯片批量转移至所述检测基板之前，还包括：

提供一晶圆片，所述晶圆片包括衬底和多个LED芯片；

将涂覆有弱胶层的蓝膜覆于所述晶圆片上，以使所述多个LED芯片粘附于所述蓝膜上；

通过激光剥离技术将所述多个LED芯片与所述衬底分离。

5.如权利要求4所述的LED芯片检测方法，其特征在于，将多个LED芯片批量转移至所述检测基板包括：

拉伸所述蓝膜，以使所述蓝膜上粘附的多个LED芯片的芯片间距达到预设间距；

将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片转移至多个芯片检测位中。

6.如权利要求5所述的LED芯片检测方法，其特征在于，将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片转移至多个芯片检测位中包括：

根据芯片间距误差，将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片选择出多个芯片区域，其中，每个芯片区域中LED芯片之间的芯片间距相同；

分别将每个芯片区域的LED芯片转移至对应的芯片检测位中。

7.如权利要求5所述的LED芯片检测方法，其特征在于，将拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片转移至多个芯片检测位中包括：

通过转移装置抓取拉伸后的所述蓝膜上的多个LED芯片，并将其移动至对应的芯片检测位中。

8.如权利要求7所述的LED芯片检测方法，其特征在于，所述芯片检测位包括第一对位标记，所述LED芯片包括第二对位标记，所述LED芯片转移至所述芯片检测位时，所述第一对位标记与所述第二对位标记对齐。

9.如权利要求1-8任一项所述的LED芯片检测方法，其特征在于，所述压电层的材料为氧化锌或PVDF高分子压电材料。

10.如权利要求1-8任一项所述的LED芯片检测方法，其特征在于，所述柔性导电层包括聚合物基体和导电组分，所述聚合物基体包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯或苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物，所述导电组分为石墨烯、碳纳米管、金属纳米线或导电高分子。