[发明专利]新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构

权利要求书

1.一种新型功率器件的划片方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A1，在晶圆的正面有多个管芯，晶圆的正面相邻的所述管芯之间通过划片道进行隔离；

步骤A2，对所述晶圆的正面的每个所述划片道分别进行第一次划片形成划片槽；

步骤A3，在所述划片槽内填充树脂层；

步骤A4，对所述晶圆的背面进行研磨减薄，使填充于所述划片槽的所述树脂层暴露于所述晶圆的背面；

步骤A5，对减薄后的所述晶圆的背面进行蚀刻，使所述树脂层的背面高于所述晶圆的背面，从而在所述晶圆的背面形成若干突出部分，所述突出部分与所述划片道的位置一一对应；

步骤A6，在所述晶圆的背面进行金属化形成背面金属化层，所述背面金属化层覆盖所述晶圆的背面和所述树脂层的突出部分，使得所述背面金属化层在所述树脂层的突出部分形成金属突起；

步骤A7，对所述金属突起和所述突出部分进行第二次划片或者蚀刻，去除所述突出部分以及所述突出部分邻近的金属；

步骤A8，对准所述晶圆的背面露出的所述树脂层进行第三次划片，将各个所述管芯进行分离形成单个功率器件。

2.如权利要求1所述的一种新型功率器件的划片方法，其特征在于，在所述步骤A2中，所述划片槽的深度大于所述晶圆在所述步骤A4中减薄后的剩余厚度。

3.如权利要求1所述的一种新型功率器件的划片方法，其特征在于，所述步骤A7中所述第二次划片所使用的划片刀的宽度大于所述步骤A2中所述第一次划片所使用的划片刀的宽度。

4.如权利要求1所述的一种新型功率器件的划片方法，其特征在于，所述步骤A8中所述第三次划片所使用的划片刀的宽度小于所述步骤A2中所述第一次划片所使用的划片刀的宽度。

5.如权利要求1所述的一种新型功率器件的划片方法，其特征在于，在所述步骤A1中，每一个所述管芯的源极和栅极位于所述晶圆的正面，所述源极和所述栅极之间采用介质层进行隔离，在所述晶圆的背面分别形成每一个所述管芯的漏极；

则在所述步骤A6中，所述背面金属化层分别与每一个所述管芯的所述漏极电接触。

6.一种新型功率器件，其特征在于，使用如权利要求1-5任意一项所述的一种功率器件的划片方法制备而成，包括：

半导体衬底；

管芯，管芯的源极和栅极位于所述半导体衬底的正面，所述源极和所述栅极之间采用介质层进行隔离，所述管芯的漏极位于所述半导体衬底的背面；

背面金属化层，分别与所述管芯的所述漏极电接触；

所述半导体衬底的四个侧面均由树脂层包裹，所述树脂层的背面低于所述半导体衬底的背面并形成台阶；

所述背面金属化层在所述半导体衬底的背面且不与所述树脂层接触。