[发明专利]一种低温度系数参考电流及电压产生电路

说明书

本发明公开了一种低温度系数参考电流及电压产生电路。该低温度系数参考电流及电压产生电路，包括：自举电流镜、第一晶体管、第二晶体管和至少一个第三晶体管；自举电流镜包括控制信号输出端和参考电流输出端；第一晶体管的栅极连接控制信号输出端，第一晶体管的第一极与第一电源线电连接；第二晶体管的第一极连接参考电流输出端，第二晶体管的第二极连接第二电源线；至少一个第三晶体管串联于第一晶体管的第二极和第二晶体管的第一极之间，各第三晶体管的栅极和第二晶体管的栅极依次电连接，第一晶体管的第二极和第三晶体管的连接点作为参考电压输出端。本发明提供的低温度系数参考电流及电压产生电路，实现了对工艺依赖小，温度系数低的效果。

技术领域

本发明实施例涉及模拟集成电路技术，尤其涉及一种低温度系数参考电流及电压产生电路。

背景技术

参考电流产生电路是模拟和混合信号集成电路的重要组成部分，它被广泛应用于低压差线性稳压器、温度传感器、数据转换器、射频收发器、Flash存储器等电路中。

参考电流产生电路作为整个集成电路的“准绳”，其性能直接影响电路的性能，因此，参考电流产生电路应该具有良好的抗干扰能力。以如图1所示的传统自举电路为例，这种基于阈值电压的MOS管电流产生电路已经被证明可以作为参考电流产生电路使用，并且可以适应较低的供电电压。再例如图3所示的简单参考电压产生电路，可以产生供各种集成电路使用的参考电压，但是以上电路功能的实现很大程度上依赖于工艺参数，产生的参考电流和电压温度系数较大，无法作为高性能模拟电路的参考电流和参考电压使用。

发明内容

本发明提供一种低温度系数参考电流及电压产生电路，实现了低温度系数参考电流及电压产生电路对工艺依赖小，温度系数低的效果。

本发明实施例提供了一种低温度系数参考电流及电压产生电路，其中，包括：自举电流镜、第一晶体管、第二晶体管和至少一个第三晶体管；所述自举电流镜包括控制信号输出端和参考电流输出端；所述第一晶体管的栅极连接所述控制信号输出端，所述第一晶体管的第一极与第一电源线电连接；所述第二晶体管的第一极连接所述参考电流输出端，所述第二晶体管的第二极连接第二电源线；所述至少一个第三晶体管串联于第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第一极之间，各所述第三晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极依次电连接，所述第一晶体管的第二极和所述第三晶体管的连接点作为参考电压输出端。

可选地，所述第一晶体管为P沟道MOS管；所述第二晶体管和所述第三晶体管为N沟道MOS管。

可选地，所述自举电流镜，还包括：第四晶体管、第五晶体管、至少一个第六晶体管和第七晶体管；所述第四晶体管的第一极和所述第五晶体管的第一极均与所述第一电源线电连接；所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极均与所述第四晶体管的第二极电连接，连接点作为所述控制信号输出端；所述第六晶体管的第一端和所述第七晶体管的第一端分别与所述第四晶体管的第二端和所述第五晶体管的第二端电连接；所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极均与所述第七晶体管的第一极电连接；所述第六晶体管的第二极作为所述参考电流输出端，所述第七晶体管的第二极连接所述第二电源线。

可选地，所述第四晶体管和所述第五晶体管为P沟道MOS管；所述第六晶体管和所述第七晶体管为N沟道MOS管。

可选地，所述第三晶体管的数量大于等于2。

可选地，所述第六晶体管的数量大于等于2.

可选地，所述第二晶体管的正向导通电阻的温度系数小于同阻值电阻器的温度系数。

可选地，所述第二电源线接地。