[发明专利]一种低温度系数参考电流及电压产生电路

权利要求书

1.一种低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，包括：

自举电流镜，所述自举电流镜包括控制信号输出端和参考电流输出端；

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述控制信号输出端，所述第一晶体管的第一极与第一电源线电连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述参考电流输出端，所述第二晶体管的第二极连接第二电源线；

至少一个第三晶体管，所述至少一个第三晶体管串联于第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第一极之间，各所述第三晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极依次电连接，所述第一晶体管的第二极和所述第三晶体管的连接点作为参考电压输出端；

所述自举电流镜还包括：

第四晶体管和第五晶体管，所述第四晶体管的第一极和所述第五晶体管的第一极均与所述第一电源线电连接；所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的栅极均与所述第四晶体管的第二极电连接，连接点作为所述控制信号输出端；

至少一个第六晶体管和第七晶体管，所述第六晶体管的第一端和所述第七晶体管的第一端分别与所述第四晶体管的第二端和所述第五晶体管的第二端电连接；所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极均与所述第七晶体管的第一极电连接；所述第六晶体管的第二极作为所述参考电流输出端，所述第七晶体管的第二极连接所述第二电源线。

2.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道MOS管；所述第二晶体管和所述第三晶体管为N沟道MOS管。

3.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第四晶体管和所述第五晶体管为P沟道MOS管；所述第六晶体管和所述第七晶体管为N沟道MOS管。

4.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第三晶体管的数量大于等于2。

5.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第六晶体管的数量大于等于2。

6.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第二晶体管的正向导通电阻的温度系数小于同阻值电阻器的温度系数。

7.根据权利要求1所述的低温度系数参考电流及电压产生电路，其特征在于，所述第二电源线接地。