[发明专利]一种PERC单晶电池用硅片的退火方法及PERC单晶电池用硅片与应用有效
| 申请号： | 202011624334.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820797B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李文龙;何悦;金杭 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 perc 电池 硅片 退火 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种PERC单晶电池用硅片的退火方法，其特征在于，所述退火方法包括以下步骤：
(1)送入硅片，同时通入流速为1000-4000sccm的氮气，维持300-600s；
(2)抽真空至50-100mbar，同时升温至550-600℃，维持150-250s；
(3)在600-800mbar下通入流速为10-20SLM的氮气吹扫，保持在600-650℃，维持200-300s；
(4)抽真空至100-200mbar，保持在650-680℃，维持150-250s；
(5)回压至900-1000mbar，保持在650-680℃，维持150-250s；
(6)在660-720℃下通入流速为1-6SLM的氮气和流速为2-8SLM的氧气，进行恒温氧化，维持1500-2100s；
(7)取出硅片，同时通入流速为1000-4000sccm的氮气，维持300-600s。
2.一种如权利要求1所述的退火方法处理得到的PERC单晶电池用硅片。
3.一种如权利要求2所述的PERC单晶电池用硅片在制备PERC单晶电池中的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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