[发明专利]磁盘装置以及读处理方法有效
申请号: | 202011623321.9 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN113838484B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 前东信宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/49 | 分类号: | G11B5/49;G11B5/596;G11B5/012;G11B5/09;G11B20/18;G11B21/10 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘静;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁盘 装置 以及 处理 方法 | ||
实施方式提供能够提高读处理的品质的磁盘装置和读处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,其具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头;以及控制器,其将所述第1读取头配置在所述盘的第1磁道的半径方向上的第1半径位置来对所述第1磁道进行读取,在对所述第1磁道进行读重试的情况下,将成为读处理时的定位基准的主读取头从所述第1读取头变更为所述第2读取头,将所述第2读取头作为所述主读取头配置在所述第1磁道的半径方向上的与所述第1半径位置不同的第2半径位置来对所述第1磁道进行读取,对与所述主读取头对应的内部设定进行变更来对所述第1磁道进行读取。
本申请享受以日本专利申请2020-107839号(申请日:2020年6月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及读处理方法。
背景技术
在磁盘装置中,由于与预定磁道在半径方向上相邻的磁道(以下称为相邻磁道)与预定磁道接近或者重叠,预定磁道的TPI(Track Per Inch(每英寸磁道数))可能会降低。近年来,开发了具有多个读取头的二维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。TDMR方式的磁盘装置例如通过在对相邻磁道接近或者重叠的磁道进行读取的情况下,对多个读取头中的成为读处理时的定位基准的读取头(以下称为主读取头)的配置和多个读取头中的主读取头以外的读取头(以下称为子读取头)的配置进行调整,能够改善数据的解码性能。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高读处理的品质的磁盘装置以及读处理方法。
本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘;头,其具有对所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头;以及控制器,其将所述第1读取头配置在所述盘的第1磁道的半径方向上的第1半径位置来对所述第1磁道进行读取,在对所述第1磁道进行读重试的情况下,将成为读处理时的定位基准的主读取头从所述第1读取头变更为所述第2读取头,将所述第2读取头作为所述主读取头配置在所述第1磁道的半径方向上的与所述第1半径位置不同的第2半径位置来对所述第1磁道进行读取,对与所述主读取头对应的内部设定进行变更来对所述第1磁道进行读取。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。
图3是表示将读取头配置在了基准位置的情况下的写入头和两个读取头的几何学上的配置的一个例子的示意图。
图4是表示将读取头定位于了半径位置的情况下的写入头和两个读取头的几何学上的配置的一个例子的图。
图5是表示实施方式涉及的R/W通道的读系统的构成例的框图。
图6是表示读取头的BER特性的一个例子的概要图。
图7是表示实施方式涉及的读重试处理的一个例子的示意图。
图8是表示度量存储器(metric memory)中的处理的一个例子的概要图。
图9是表示实施方式涉及的度量接合处理的一个例子的示意图。
图10是表示实施方式涉及的读处理的一个例子的流程图。
图11是表示实施方式涉及的接合处理的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图对实施方式进行说明。此外,附图是一个例子,并不限定发明的范围。
(实施方式)
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
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