[发明专利]一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺

权利要求书

1.一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1采用In衬底上进行一次外延生长处理，获得第一晶圆结构，所述第一晶圆结构的上表面进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构，在所述第二晶圆结构表面进行二次外延生长处理，加入Al材料得到第三晶圆结构；

S2所述第三晶圆结构进行脊图形处理，得到第四晶圆机构；

S3在所述第一晶圆结构、第二晶圆结构、第三晶圆结构和第四晶圆结构上方布设至少两层金属层，作为布线层使用；

S4经互联线实现第一晶圆结构、第二晶圆结构、第三晶圆结构和第四晶圆结构的连接，对第四晶圆结构进行PN限制层生长；

S5计算两层金属层的连线间距和互联线的线宽，计算互联线需要占用芯片边长的长度；

S6经处理得到Home Plug协议通讯模块和WiFi协议通讯模块两组芯片,将两个芯片并排放置，旋转任意一组芯片，进行芯片两两对齐，进行芯片互联，集成人工智能通讯芯片；

S7将所述两组芯片外联MPU微处理器模块，制得集成芯片。

2.根据权利要求1所述的一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，其特征在于：所述两组芯片上皆安装有复数发送信号引脚和接收信号引脚。

3.根据权利要求1所述的一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，其特征在于：所述两组芯片的Home Plug协议通讯模块和WiFi协议通讯模块以有线、无线通讯和有线与无线互补的方式传输数据。

4.根据权利要求1所述的一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，其特征在于：所述脊图形处理时，掩膜材质氧化铝厚度小于350nm，每根互联线的带宽大于1Gbps。

5.根据权利要求1所述的一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，其特征在于：所述PN限制层所得LaA103过渡金属氧化物异质界面。