[发明专利]一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，所述DFB激光器芯片的制作方法包括以下步骤：芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过多个团队进行设计；圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工，圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，从而需要长时间的测试，芯片封装，将同种芯片内核封装为不同的形式，提高产品的能力，本发明通过优先向对DFB激光器的精准以及带宽等方向进行设计，使其本装置相较于传统的装置，能对激光位置进行校准，使其本芯片可控制激光对其他物体进行高精度的切割。

技术领域

本发明涉及芯片制造方法，特别涉及一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，属于芯片制造领域。

背景技术

DFB激光器，即分布式反馈激光器，其不同之处是内置了布拉格光栅(BraggGrating)，属于侧面发射的半导体激光器，DFB激光器主要以半导体材料为介质，包括锑化镓、砷化镓、磷化铟、硫化锌(ZnS)等，DFB激光器最大特点是具有非常好的单色性(即光谱纯度)，它的线宽普遍可以做到1MHz以内，以及具有非常高的边模抑制比(SMSR)，可高达40-50dB以上。

同时DFB激光器一般采用芯片进行控制，现有的控制芯片较为简单，处理速度比较慢，带宽比较窄，从而导致在激光切割时容易发生故障等问题，而传统的芯片制造方式较为普遍，光刻、刻蚀、薄膜(化学气相沉积或物理气相沉积)、掺杂(热扩散或离子注入)、化学机械平坦化CMP，其中关键是芯片的设计，同时芯片的设计也是尤为重要的，一个好的设计可增加芯片的反应速度，以及芯片的稳定性，而传统的设计方案一般在芯片成型后才进行检测，同时这种方式较为简单，同时也较为落后。

因此，针对上述问题，本发明提供一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法。

发明内容

本发明的目的在提供一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，解决背景技术提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过团队分工进行设计，同时当团队分工设计完成后，在将分工部分融合重新设计；

圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工；

圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测，一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，从而需要长时间的测试。

芯片封装：将制造完成晶圆固定，绑定引脚，通过DIP/QFP/PLCC/QFN方式去制作成各种对应的封装形式，将同种芯片内核封装为不同的形式，提高产品的能力。

优选的，所述芯片设计在设计芯片时，优先考虑DFB激光器的应用，提高DFB激光器使用的精度等方向进行设计。

优选的，所述芯片设计在数据导出与数据接入时，现有数据采用大通道保证本芯片可实时的对激光的设备进行控制与运算，通过激光设备整体的精度。

优选的，所述圆晶检测，在检测圆晶时就先剔除一部分，同时对圆晶进行检测时，可寻找圆晶当中的设计问题，从而可要求重新进行设计，使其圆晶达到最优水平。

优选的，采用表面贴着封装，使用更细的脚间距，引脚形状为海鸥翼型或J型，比相等的DIP面积少30-50％，厚度少70％。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出，引脚间距为0.05英寸。

优选的，所述圆晶生产，使用单晶硅晶圆或III-V族，如砷化镓，用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。