[发明专利]一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法

权利要求书

1.一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

芯片设计：在设计DFB激光器芯片是会通过团队分工进行设计，同时当团队分工设计完成后，在将分工部分融合重新设计，保证设计的稳定性，设计完成后进行版图设计；

圆晶生产：先进行光刻，然后对圆晶进行加工，使其更圆晶达到规格，完成圆晶的初步加工；

圆晶检测：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测；

芯片封装：将制造完成晶圆固定，绑定引脚，通过DIP/QFP/PLCC/QFN方式去制作成各种对应的封装形式。

2.根据权利要求1所述的一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于：所述芯片设计在设计芯片时，考虑DFB激光器的应用。

3.根据权利要求1所述的一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于：所述芯片设计在数据导出与数据接入时，现有数据采用大通道保证本芯片可实时的对激光的设备进行控制与运算。

4.根据权利要求1所述的一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于：所述圆晶检测，在检测圆晶时就先剔除一部分，同时对圆晶进行检测时，寻找圆晶当中的设计问题。

5.根据权利要求1所述的一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于：所述芯片封装采用表面贴着封装。

6.根据权利要求1所述的一种25Gbs高速调制DFB激光器芯片的制作方法，其特征在于：所述圆晶生产，使用单晶硅晶圆或III-V族，用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线。