[发明专利]测辐射热计的新型陶瓷封装在审
| 申请号： | 202011615768.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112802908A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 黄树红 | 申请（专利权）人： | 深圳市联科威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;H01L31/101;G01J5/20;G01J5/02 |
| 代理公司： | 深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙) 44585 | 代理人： | 杨艳霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射热 新型 陶瓷封装 | ||
1.测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于，包括晶圆片，在所述晶圆片内安装传感器单元或在晶圆片上方安装传感器单元，所述晶圆片位于安装传感器单元位置对称设置有衬垫，所述衬垫位置粘和连接有锡球，之后，将所述晶圆片锯成小片，小片即测辐射热计，将小片放置于陶瓷中封装，陶瓷中内对称设置有陶瓷垫，将测辐射热计上粘和的锡球再粘和连接到陶瓷垫上，然后进行真空包装和透镜覆盖。
2.根据权利要求1所述的测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于：除了上面描述的基本封装方法外，在基本方法上也做了一些其他变化，第一种变化是在陶瓷内部和测辐射热计传感元件之间增加反射层，且反射层与陶瓷粘合连接。
3.根据权利要求1所述的测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于：除了上面描述的基本封装方法外，在基本方法上也做了一些其他变化，第二种变化是在测辐射热计粘合的锡球上再粘合连接一个中介层，并在中介层的另一端粘合连接到陶瓷封装中的垫片。
4.根据权利要求3所述的测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于：除了上面描述的基本封装方法外，在基本方法上也做了一些其他变化，第三种变化是对第二种变化的进一步修改，在测辐射热计传感元件和中介层之间增加反射层，其反射层与中介层呈内嵌设置。
5.根据权利要求1所述的测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于：除了上面描述的基本封装方法外，在基本方法上也做了一些其他变化，第四种变化是在传感器的切片中集成CMOS电路。
6.根据权利要求1所述的测辐射热计的新型陶瓷封装，其特征在于：除了上面描述的基本封装方法外，在基本方法上也做了一些其他变化，第五种变化是对第四种变化的进一步修改，在陶瓷内部和测辐射热计传感元件之间增加反射层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
