[发明专利]一种单片式晶片清洁工艺

说明书

本发明涉及晶片清洁技术领域，具体为一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，通过清水冲洗仓进行首次冲洗，通过化学冲洗仓进行化学反应吸附冲洗，通过清洗仓进行最后一遍的冲刷，通过烘干仓进行烘干。

技术领域

本发明涉及晶片清洁技术领域，具体为一种单片式晶片清洁工艺。

背景技术

众所周知，超大型集成电路(VLSI)、极大型集成电路(ULSI)或微机电系统(MEMS)的制作是利用一半导体基底，如硅晶片，并反复经历数百道的薄膜沉积、氧化、光刻、蚀刻与掺杂等不同工艺加以形成。在蚀刻反应的过程中，难免会产生些副产物，例如高分子物质微粒，这些高分子物质微粒会粘附在晶片表面，因此，在蚀刻工艺完成后，通常会进行一清洁工艺将该些高分子物质微粒自晶片表面移除，确保所制作的MOS元件的电性表现，以利后续其他工艺的施行。

现有的晶片清洗方法，先经过碱洗去除晶片表面颗粒和有机物，然后再将晶片取出放在另一槽内进行酸洗，主要去除晶片表面微粒和金属离子，然后再经过超纯水进行清洗，去除晶片表面残留的离子，然而现有的该种清洗方法大多都是在不同的装置上进行的，不能进行自动化以及一体化，从而浪费了人力物力，并且清洁效率也得不到提高。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种清洗效率高的一体化单片式晶片清洁工艺。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种单片式晶片清洁工艺，包括机体、第一支架以及第二支架，所述第一支架的上端以及第二支架的上端均设有传动轴，所述传动轴之间设有传送网带连接，所述传送网带上设有存放盒，所述存放盒上设有通孔，所述机体上设有工作台、第一存放仓以及第二存放仓，所述第一存放仓以及第二存放仓位于机体的内部，并且所述第一存放仓与第二存放仓之间设有隔板，所述第一存放仓的内部依次设有第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱，所述第二存放仓的内部依次设有第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述工作台安装在机体的上端，所述工作台上依次设有清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓，并且所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的下端均设有导流槽，且所述导流槽分别连接第一回收箱、化学液回收箱以及第二回收箱，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内部均设有喷头，所述喷头分别安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓以及清洗仓的内壁上，并且分别与第一清洗箱、化学液存储箱以及第二清洗箱之间设有连通管连接，所述化学冲洗仓以及清洗仓的上端均设有吸风机，所述吸风机上设有吸风板，所述吸风板安装在吸风机的下端，所述烘干仓的上端设有热风机，所述热风机上设有热风口，并且所述热风口位于烘干仓的内部。

为了提高烘干效果，本发明的改进有，所述烘干仓上设有电热管，所述电热管安装在烘干仓的内壁上。

为了提高本结构的实用性，本发明的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓上均设有视镜，所述视镜安装在清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓的一侧，所述视镜的材质为防雾钢化玻璃，所述存放盒与传送网带之间设有可拆卸结构。

为了提高本结构的清洗效果，本发明的改进有，所述清洗仓的内部设有超声波发生器，所述超声波发生器安装在清洗仓的两侧，所述存放盒上设有存放板，所述存放板安装在存放盒的中间部分，所述存放板上设有通孔，并且所述存放板与存放板之间设有可拆卸结构。

为了提高本结构的防尘效果，本发明的改进有，所述清水冲洗仓、化学冲洗仓、清洗仓以及烘干仓之间设有防尘板。

(三)有益效果