[发明专利]刻蚀烘烤设备的外延片载具有效
| 申请号: | 202011609284.6 | 申请日: | 2020-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN112885768B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
| 发明(设计)人: | 王飞;刘华明;黄李园;薛涛 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01J37/32;C30B33/12 |
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
| 地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 刻蚀 烘烤 设备 外延 片载具 | ||
本公开提供了一种刻蚀烘烤设备的外延片载具,属于刻蚀烘烤设备技术领域。所述外延片载具包括:基座和放片支架,所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片组件,所述第一立板和所述第二立板通过第一连接件平行且相对设置,所述放片组件设置在所述第一立板和所述第二立板之间以在所述第一立板和所述第二立板之间层叠放置若干外延片;所述放片支架通过所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安装在所述基座上。本公开能够提升外延片载具放置的外延片数量。
技术领域
本公开涉及刻蚀烘烤设备技术领域,特别涉及一种刻蚀烘烤设备的外延片载具。
背景技术
半导体LED(Light Emitting Diode,发光二极管)具有高效节能和绿色环保的优点,在交通指示和户外全色显示等领域有着广泛的应用。因为设备、工艺、生产等异常因素,导致在MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金属有机化合物化学气相沉淀)设备生长的部分LED外延片达不到标准要求,而做报废处理,外延报废片(报废处理的LED外延片)不能再次利用,造成较大损失。为实现损失挽回,可通过刻蚀炉对报废片进行刻蚀动作,将报废衬底上的生长GaN薄膜剥离,实现变废为新的目的。
刻蚀炉的工作原理主要是,通过炉内加热升温至600摄氏度,并通过腔体上端气流孔,将一定比例的氮氯混合气体均匀通入炉内,在外延报废片上进行化学反应。氯气的腐蚀特性将外延报废片上的GaN薄膜进行剥离,外延报废片重新转化为外延生长所需的衬底。
相关技术中,刻蚀炉机台是依靠石墨盘作为刻蚀片载具,炉内反应腔内放置两块石墨盘,每块石墨盘的盘面在同一水平面上均匀地分布有若干片槽,如14个片槽,石墨盘能够放置14片4寸PSS(Patterned Sapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底),每炉的产能为28片,产出较低,刻蚀成本较大。
发明内容
本公开实施例提供了一种刻蚀烘烤设备的外延片载具,能够提升外延片载具放置的外延片数量。所述技术方案如下:
一种刻蚀烘烤设备的外延片载具,所述外延片载具包括:基座和放片支架,
所述放片支架包括第一立板、第二立板和放片组件,所述第一立板和所述第二立板通过第一连接件平行且相对设置,所述放片组件设置在所述第一立板和所述第二立板之间以在所述第一立板和所述第二立板之间层叠放置若干外延片;
所述放片支架通过所述第一立板和所述第二立板可拆卸地安装在所述基座上。
可选地,所述基座包括:第一基板和第二基板,
所述第一基板和所述第二基板通过第二连接件平行且相对设置,所述第一基板和所述第二基板的相对面上均设有放置槽;
所述第一立板与所述第一基板上的放置槽相配合,所述第二立板与所述第二基板上的放置槽相配合。
可选地,所述第一基板和所述第二基板均包括相对且平行的第一侧边和第二侧边,
所述第一基板和所述第二基板的上均设有若干气流孔,
所述放置槽靠近所述第一侧边,所述气流孔靠近所述第二侧边。
可选地,所述放片组件包括:四根第一支撑杆,
所述四根第一支撑杆相平行地夹设在所述第一立板和所述第二立板之间,每根第一支撑杆的两端分别连在所述第一立板和所述第二立板上,
每根第一支撑杆的外壁在径向设有第一卡槽,每根第一支撑杆上的第一卡槽的数量为多个且沿每根第一支撑杆的轴向间隔分布,每根第一支撑杆在同一平面下的第一卡槽截面的槽底连线与外延片的部分外轮廓相配合。
可选地,所述第一卡槽包括槽口和与所述槽口连通的沟槽,
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