[发明专利]一种等离子体处理设备及工作方法

说明书

本发明公开了一种等离子体处理设备及工作方法，包括：真空的反应腔体，其侧壁上设有第一开口；基座，位于所述反应腔体内底部，用于承载基片；气体喷淋头，位于所述反应腔体内顶部，且与基座相对设置；内衬，位于反应腔体的侧壁的内侧，所述内衬设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对设置，供基片进出反应腔体；接地环，设于所述基座的外围，且与所述内衬连接；导电遮挡部件，用于遮挡第二开口，且所述气体喷淋头、反应腔体的顶部、内衬、导电遮挡部件与接地环之间形成射频回路；第一驱动装置，驱动所述导电遮挡部件上下移动，以遮挡或者打开所述第二开口。本发明设置导电遮挡部件，遮挡内衬处的缺口，保证内衬的完整性，使射频回路均匀。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种等离子体处理设备及工作方法。

背景技术

等离子体处理设备通过向真空反应腔室引入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该反应腔室施加射频能量，以解离反应气体生成等离子体，用来对放置于反应腔室内的基片表面进行加工。反应腔室的侧壁上设有开口供基片进出。射频回路沿反应腔室的侧壁流过时，会绕开开口，在开口处形成如图1所示的“马鞍形”结构，造成射频回路不均匀，等离子体在基片各处的分布不均匀，进而导致基片正对内衬开口处的处理速率与基片其他部位的处理速率不同。

发明内容

本发明的目的是提供一种等离子体处理设备及工作方法，以射频回路不均匀的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种等离子体处理设备，包括：

真空的反应腔体，其侧壁上设有第一开口；

基座，位于所述反应腔体内底部，用于承载基片；

气体喷淋头，位于所述反应腔体内顶部，且与基座相对设置；

内衬，位于反应腔体的侧壁的内侧，所述内衬设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对设置，供基片进出反应腔体；

接地环，设于所述基座的外围，且与所述内衬连接；

导电遮挡部件，用于遮挡第二开口，且所述气体喷淋头、反应腔体的顶部、内衬、导电遮挡部件与接地环之间形成射频回路；

第一驱动装置，用于驱动所述导电遮挡部件上下移动，以遮挡或者打开所述第二开口。

可选地，所述的导电遮挡部件是外侧凸起内侧凹入的弧形结构。

可选地，所述的导电遮挡部件是片状的，其在移动到设定的遮挡位置时将所述第二开口全部遮挡。

可选地，所述的导电遮挡部件包含若干第一挡条，相邻第一挡条之间设有第一通槽；所述内衬对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；移动至遮挡位置时，所述导电遮挡部件通过第一挡条对所述第二开口部分遮挡，所述第一挡条与所述内衬上部和所述内衬下部导电接触。

可选地，所述内衬包含若干第二档条，相邻第二档条之间设有第二通槽。

可选地，导电遮挡部件的第一档条的宽度与内衬的第二档条的宽度相同，相邻第一档条之间的间距与相邻第二档条之间的间距相同。

可选地，所述内衬处对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；所述内衬为环状结构，所述内衬下部的外径等于所述内衬上部的外径；所述的导电遮挡部件包含纵向的第一遮挡结构，移动至遮挡位置时，所述第一遮挡结构与所述内衬上部的外侧和所述内衬下部的外侧导电接触。

可选地，所述的导电遮挡部件包含纵向的第一遮挡结构和横向的第二遮挡结构，使所述导电遮挡部件的纵向截面为L型。

可选地，所述内衬处对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；所述内衬为环状结构，所述内衬下部的外径小于所述内衬上部的外径；