[发明专利]一种等离子体处理设备及工作方法

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，其特征在于，包括：

真空的反应腔体，其侧壁上设有第一开口；

基座，位于所述反应腔体内底部，用于承载基片；

气体喷淋头，位于所述反应腔体内顶部，且与基座相对设置；

内衬，位于反应腔体的侧壁的内侧，所述内衬设有第二开口，所述第二开口与所述第一开口相对设置，供基片进出反应腔体；

接地环，设于所述基座的外围，且与所述内衬连接；

导电遮挡部件，用于遮挡第二开口，且所述气体喷淋头、反应腔体的顶部、内衬、导电遮挡部件与接地环之间形成射频回路；

第一驱动装置，用于驱动所述导电遮挡部件上下移动，以遮挡或者打开所述第二开口。

2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述的导电遮挡部件是外侧凸起内侧凹入的弧形结构。

3.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述的导电遮挡部件是片状的，其在移动到设定的遮挡位置时将所述第二开口全部遮挡。

4.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述的导电遮挡部件包含若干第一挡条，相邻第一挡条之间设有第一通槽；所述内衬对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；移动至遮挡位置时，所述导电遮挡部件通过第一挡条对所述第二开口部分遮挡，所述第一挡条与所述内衬上部和所述内衬下部导电接触。

5.如权利要求4所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬包含若干第二档条，相邻第二档条之间设有第二通槽。

6.如权利要求5所述的等离子体处理设备，其特征在于，导电遮挡部件的第一档条的宽度与内衬的第二档条的宽度相同，相邻第一档条之间的间距与相邻第二档条之间的间距相同。

7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬处对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；所述内衬为环状结构，所述内衬下部的外径等于所述内衬上部的外径；所述的导电遮挡部件包含纵向的第一遮挡结构，移动至遮挡位置时，所述第一遮挡结构与所述内衬上部的外侧和所述内衬下部的外侧导电接触。

8.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述的导电遮挡部件包含纵向的第一遮挡结构和横向的第二遮挡结构，使所述导电遮挡部件的纵向截面为L型。

9.如权利要求8所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬处对应于第二开口的部位，包含位于第二开口上方的内衬上部和位于第二开口下方的内衬下部；所述内衬为环状结构，所述内衬下部的外径小于所述内衬上部的外径；

所述导电遮挡部件移动至遮挡位置时，所述第一遮挡结构与所述内衬上部的外侧导电接触，所述第二遮挡结构与所述内衬下部的外侧导电接触；

或者，所述第一遮挡结构与所述内衬上部的外侧导电接触，所述第二遮挡结构与所述内衬下部的下端导电接触；

或者，所述第一遮挡结构与所述内衬上部的下端导电接触，所述第二遮挡结构与所述内衬下部的下端导电接触。

10.如权利要求1-9任意一项所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬与所述导电遮挡部件的接触面上，设有导电的垫片。

11.如权利要求1-9任意一项所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬与所述导电遮挡部件的接触面上，沿周向布置有导电的螺旋弹簧。

12.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其特征在于，所述内衬的下端具有朝基座所在方向横向延伸的横向结构；所述接地环设在所述横向结构和所述基座之间的间隔处；所述接地环环绕基座外围设置，并与基座之间电隔离。