[发明专利]导电膜及含其的器件

说明书

本发明提供了一种导电膜及含其的器件，导电膜包括第一导电材料和第二导电材料，第一导电材料包括第一导电体与包覆在第一导电体表面的第一配体，第二导电材料包括第二导电体与包覆在第二导电体表面的第二配体，第一配体与第二配体的亲疏性相斥。本申请的导电膜的导电材料分布均匀，实现了导电膜光透过率的提升。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种导电膜及含其的器件。

背景技术

银纳米线是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料，被视为是最有可能替代传统ITO透明电极的材料，制备的膜层具有较高的导电性和透明度，可广泛用于触控、显示、照明、光伏等领域。

由于银出色的导电性，现有方法制作的纳米银线膜层可以达到较小的电阻，满足众多产品对其导电性的要求，但膜层透过率还有很大的提升空间。导电膜的透过率取决于银纳米线的分布密度、分布均匀性、直径和长度等因素，当银纳米线材料相同(即直径和长度相同)，如何控制银线分布的密度和均匀性就成为了影响其透过率的关键。

目前改善其透过率的方法主要有两种，一种是在导电膜的制作过程中控制银线悬浮液溶剂的挥发性，使银线可以以一个相对稳定的速度干燥析出；另一种是将银线溶液稀释到相对较小的固含量后进行导电膜的制作，并利用多次重复制作过程的方式来达到相对低的方阻要求。但这两种方式对导电膜透过率的改善十分有限，局部区域银线过度聚集的情况依然非常严重。

发明内容

本申请的目的在于提供一种导电膜，包括第一导电材料和第二导电材料，上述第一导电材料包括第一导电体与包覆在上述第一导电体表面的第一配体，上述第二导电材料包括第二导电体与包覆在上述第二导电体表面的第二配体，上述第一配体与上述第二配体的亲疏性相斥。

进一步地，上述第一导电体和上述第二导电体为金属纳米线，优选为银纳米线。

进一步地，上述第一导电材料和上述第二导电材料的重量比为1:10～10:1，优选为1:3～3:1。

进一步地，上述第一配体的质量占上述第一导电材料的总质量的0.1％～10％，优选0.5％～5％；上述第二配体的质量占上述第二导电材料的总质量的0.1％～10％，优选0.5％～5％。

进一步地，上述银纳米线的直径为10～100nm，长度为10～100μm；优选上述银纳米线的直径为10～40nm，长度为20～40μm。

进一步地，上述第一配体和上述第二配体分别独立地选自纳米粒子配体、有机小分子配体、高分子配体中的任一种或多种。

进一步地，上述纳米粒子配体为无机纳米粒子配体或有机纳米粒子配体，上述无机纳米粒子配体选自无机盐、金属氧化物颗粒、金属颗粒和SiO₂纳米微球中的至少一种，上述有机纳米粒子配体选自胶束微球和聚合物微球中的至少一种。

进一步地，上述有机小分子配体的结构表达式为X-Y，其中X用于与上述第一导电体或上述第二导电体表面配位，Y的结构中包括亲水性基团或疏水性基团，上述亲水性基团选自羟基、羧基、醛基、氨基、胺基、磺酸基和亚硫酸基中的至少一种，上述疏水性基团选自饱和脂肪烃基、不饱和脂肪烃基、卤素、芳香烃基、酯基和硝基中的至少一种；优选上述X选自巯基、氨基、羧基、磺酸基或磷酸基。

进一步地，上述高分子配体选自PVP、PEO、PEG、PIB、PVK、PVB、PSS、环烯烃共聚物和含氟树脂中的一种或多种。

进一步地，上述导电膜的方阻≤500Ω/□，优选方阻≤100Ω/□。

进一步地，上述导电膜在可见光范围的透过率≥70％，优选在可见光范围的透过率≥85％。

本申请还提供一种包括上述的任一导电膜的器件。