[发明专利]导电膜及含其的器件有效

专利信息
申请号: 202011597517.5 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112820443B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 顾辛艳;艾文玲 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01B5/00 分类号: H01B5/00;H01B5/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 导电 器件
【权利要求书】:

1.一种导电膜,其特征在于,包括第一导电材料和第二导电材料,所述第一导电材料包括第一导电体与包覆在所述第一导电体表面的第一配体,所述第二导电材料包括第二导电体与包覆在所述第二导电体表面的第二配体,所述第一配体与所述第二配体的亲疏性相斥。

2.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一导电体和所述第二导电体为金属纳米线。

3.根据权利要求2所述的导电膜,其特征在于,所述第一导电体和所述第二导电体为银纳米线。

4.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一导电材料和所述第二导电材料的重量比为1:10~10:1。

5.根据权利要求4所述的导电膜,其特征在于,所述第一导电材料和所述第二导电材料的重量比为1:3~3:1。

6.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一配体的质量占所述第一导电材料的总质量的0.1%~10%;所述第二配体的质量占所述第二导电材料的总质量的0.1%~10%。

7.根据权利要求6所述的导电膜,其特征在于,所述第一配体的质量占所述第一导电材料的总质量的0.5%~5%;所述第二配体的质量占所述第二导电材料的总质量的0.5%~5%。

8.根据权利要求3所述的导电膜,其特征在于,所述银纳米线的直径为10~100nm,长度为10~100μm。

9.根据权利要求8所述的导电膜,其特征在于,所述银纳米线的直径为10~40nm,长度为20~40μm。

10.根据权利要求1所述的导电膜,其特征在于,所述第一配体和所述第二配体分别独立地选自纳米粒子配体、有机小分子配体、高分子配体中的任一种或多种。

11.根据权利要求10所述的导电膜,其特征在于,所述纳米粒子配体为无机纳米粒子配体或有机纳米粒子配体,所述无机纳米粒子配体选自无机盐、金属氧化物颗粒、金属颗粒和SiO2纳米微球中的至少一种,所述有机纳米粒子配体选自胶束微球和聚合物微球中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的导电膜,其特征在于,所述有机小分子配体的结构表达式为X-Y,其中X用于与所述第一导电体或所述第二导电体表面配位,Y的结构中包括亲水性基团或疏水性基团,所述亲水性基团选自羟基、羧基、醛基、氨基、胺基、磺酸基和亚硫酸基中的至少一种,所述疏水性基团选自饱和脂肪烃基、不饱和脂肪烃基、卤素、芳香烃基、酯基和硝基中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的导电膜,其特征在于,所述X选自巯基、氨基、羧基、磺酸基或磷酸基。

14.根据权利要求10所述的导电膜,其特征在于,所述高分子配体选自PVP、PEO、PEG、PIB、PVK、PVB、PSS、环烯烃共聚物和含氟树脂中的一种或多种。

15.根据权利要求2或3所述的导电膜,其特征在于,所述导电膜的方阻≤500Ω/□。

16.根据权利要求15所述的导电膜,其特征在于,所述导电膜的方阻≤100Ω/□。

17.根据权利要求15所述的导电膜,其特征在于,所述导电膜在可见光范围的透过率≥70%。

18.根据权利要求17所述的导电膜,其特征在于,所述导电膜在可见光范围的透过率≥85%。

19.一种包括权利要求1至18任一所述的导电膜的器件。

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