[发明专利]并联的带隙基准电路

说明书

本发明公开了一种并联的带隙基准电路，包括：PTAT电流产生电路，用以产生带有温度系数的电流，基准电压输出电路，用以输出恒定的基准电压，温度系数电流输出电路，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路，所述基准电压输出电路中与电压输出端连接的通路至少有一个，所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻，至少有一个所述电阻与其余所述电阻并联连接。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种并联的带隙基准电路。

背景技术

在现有集成电路设计中,需要通过一个带隙基准电路产生温度系数电流用来补偿相反温度系数的电路，同时也需要产生稳定的基准电压给电源系统使用，如图1所示，是一个带隙基准电路，该电路通过BJT主通路产生带有温度系数的电流，记该电流为PTAT电流)，通过MOS管M4镜像出去的带有温度系数的电流给其他补偿电路使用，通常情况下，我们不希望基准电压输出端Vout输出的电压是带有温度系数的，但在产生特定温度系数电流的同时，Vout输出电压也是带有温度系数。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种并联的带隙基准电路，采用不同温度系数电阻减小电压温度系数。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种并联的带隙基准电路，包括：PTAT电流产生电路(10)，用以产生带有温度系数的电流，

基准电压输出电路，用以输出恒定的基准电压，温度系数电流输出电路，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路，所述基准电压输出电路中与电压输出端连接的通路至少有一个，所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻，至少有一个所述电阻与其余所述电阻并联连接。

优选地，所述电阻为二个，两个电阻的阻值不同。

优选地，所述与其余电阻并联的那个电阻其温度系数与其他电阻不同。

优选地，所述电阻中的至少一个电阻阻值可调。

优选地，所述基准电压输出电路，还包括MOS管、用以镜像PTAT电流产生电路的PTAT电流。

优选地，所述MOS管的栅极由PTAT电流产生电路来控制。

优选地，所述MOS管的栅极由外部电路来控制。

优选地，所述电阻由多条电阻组合而成。

附图说明

图1为现有技术的一种带隙基准电路示意图。

图2为本发明一较佳实施例的一种带隙基准电路示意图。

图3为现有技术的电流电压仿真图。

图4为本发明一较佳实施例的电流电压仿真图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

实施例一

如图2所示，是本发明实施例1的带隙基准电路，包括：PTAT电流产生电路10，用以产生带有温度系数的电流；基准电压输出电路20，用以输出恒定的基准电压；温度系数电流输出电路30，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路。

本实施例中图2只是一种示例性的PTAT电流产生电路10。

本实施例的PTAT电流产生电路10包括：运算放大器OA、第一晶体管Q1和第二晶体管Q2.运算放大器OA的反相输入端与第一晶体管Q1的发射极连接，运算放大器的同相输入端与所述第二晶体管Q2的发射极通过串接第三电阻R3连接。第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的基极和集电极均接地。第二晶体管Q2的发射结面积是的第一晶体管Q1的发射结面积的P倍，P为大于或等于1的整数。