[发明专利]并联的带隙基准电路在审
| 申请号： | 202011592969.4 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112667017A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李飞;王志利;徐唱 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 并联 基准 电路 | ||
1.一种并联的带隙基准电路，其特征在于，包括：
PTAT电流产生电路(10)，用以产生带有温度系数的电流，
基准电压输出电路(20)，用以输出恒定的基准电压，
温度系数电流输出电路(30)，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路，
所述基准电压输出电路(20)中与电压输出端连接的通路至少有一个，所述通路中包括至少两个具有不同温度系数的电阻，至少有一个所述电阻与其余所述电阻并联连接。
2.如权利要求1所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述电阻为二个，两个电阻的阻值不同。
3.如权利要求1所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述与其余电阻并联的那个电阻其温度系数与其他电阻不同。
4.如权利要求2或3所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述电阻中的至少一个电阻阻值可调。
5.如权利要求1所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述基准电压输出电路(20)，还包括MOS管(M3)、用以镜像PTAT电流产生电路(10)的PTAT电流。
6.如权利要求5所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述MOS管(M3)的栅极由PTAT电流产生电路(10)来控制。
7.如权利要求5所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述MOS管(M3)的栅极由外部电路来控制。
8.如权利要求1-7中之一所述的并联的带隙基准电路，其特征在于：所述电阻由多条电阻组合而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011592969.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
