[发明专利]一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤(1).取WS₂固体粉末1～5g，放入石英舟中，之后将石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位置；

步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放置在载气气流下游方向，距离石英舟水平距离20cm；

步骤(3).将0.5-2g硼氨烷，装入石英试管中，石英试管与石英管载气上游端的进气管道相联通；

步骤(4).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中氢气的体积含量为5％，载气流量为100sccm，抽气2～4min后，关闭石英管与机械泵之间的阀门，停止载气的抽出；待石英管内气压升至0.4-0.7个大气压时，关闭载气气流停止向石英管内输入载气；

步骤(5).将石英管升温至900～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至900～1200℃后保温，保温时间为30～90min；

步骤(6).石英管升至保温温度阶段的同时，石英试管通过油浴加热至80-100℃，之后，石英试管保温，保温时间为30～90min；

步骤(7).石英管、石英试管停止加热，并关闭通入硼氨烷蒸气，开启管式炉，将石英管快速冷却到室温，冷却速率为50～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得氮、硼共掺杂的WS₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述WS₂为WS₂固体粉末替换为氧化钨。

3.根据权利要求1所述的一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述基底为表面生长有氧化层的硅片、蓝宝石或多孔碳、碳化硅材料。

4.根据权利要求1所述的一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述石英管替换为刚玉管，石英舟替换为刚玉舟。

5.根据权利要求1所述的一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述的石英管内径为1英寸。

6.根据权利要求1所述的一种硼、氮共掺杂二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基底尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm。