[发明专利]硅基麦克风及其制造方法

权利要求书

1.一种硅基麦克风，包括具有背腔的硅基底以及设置在所述硅基底上方的振膜和背板，所述振膜包括内振膜以及位于所述内振膜外周且与所述内振膜间隔设置的外振膜，其特征在于，所述背板包括与所述外振膜固定连接的背板支持体、由背板支持体支撑且位于所述背腔上方的背板中间体以及自所述背板中间体朝所述振膜方向延伸出的抵御柱，当所述振膜振动时，所述外振膜可产生形变而与所述抵御柱相抵触；所述外振膜包括与背板支持体固定相接的外振膜固定部和与外振膜固定部连接的可振动的外振膜振动部，所述抵御柱与所述外振膜振动部相对且间隔设置。

2.根据权利要求1所述的硅基麦克风，其特征在于：所述抵御柱与所述背板一体成型。

3.根据权利要求1所述的硅基麦克风，其特征在于：所述硅基麦克风还包括设置于所述背板中间体朝所述振膜一面的背板电极。

4.根据权利要求1所述的硅基麦克风，其特征在于：所述背板远离振膜的一面上具有背板凹槽，所述背板凹槽的槽口方向与所述抵御柱的延伸方向相反、且所述背板凹槽的槽孔宽度与所述抵御柱宽度一致。

5.一种根据权利要求1所述的硅基麦克风的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：

101、提供一硅基层，在所述硅基层表面上沉积待释放绝缘层；

102、在所述待释放绝缘层上设置振膜；

103、在所述振膜上沉积第一牺牲层，在所述第一牺牲层上进行刻蚀形成凹槽；

104、在所述第一牺牲层上沉积第二牺牲层；

105、在所述第二牺牲层上沉积背板电极；

106、在所述振膜、所述第二牺牲层及所述背板电极上沉积背板；

107、在所述硅基层上进行刻蚀，以形成具有背腔的硅基底；

108、释放所述背腔上部的绝缘层、第一牺牲层、第二牺牲层，得到可振动的振膜和带有抵御柱的背板。

6.根据权利要求5所述的硅基麦克风的制造方法，其特征在于：所述绝缘层的材料为氧化硅。

7.根据权利要求5所述的硅基麦克风的制造方法，其特征在于：所述振膜的材料为多晶硅。

8.根据权利要求5所述的硅基麦克风的制造方法，其特征在于：所述第一牺牲层、所述第二牺牲层的材料为氧化硅。

9.根据权利要求5所述的硅基麦克风的制造方法，其特征在于：所述背板电极的材料为多晶硅，所述背板的材料为氮化硅。