[发明专利]一种不同厚度芯片嵌入载片结构及其制备方法有效
| 申请号: | 202011577710.2 | 申请日: | 2020-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN112687673B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 薛海韵;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;G02B6/122 |
| 代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
| 地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 不同 厚度 芯片 嵌入 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种不同厚度芯片嵌入载片结构,包括:
载片;
第一导电通孔,所述第一导电通孔贯穿所述载片的上下表面;
第一芯片埋入腔,所述第一芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成;
第二芯片埋入腔,所述第二芯片埋入腔从所述载片上表面向内延伸形成;
第二导电通孔,所述第二导电通孔贯穿所述载片后从所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔的底部漏出;
第一芯片,所述第一芯片正装贴片设置在所述第一芯片埋入腔中;
第二芯片,所述第二芯片正装贴片设置在所述第二芯片埋入腔中,所述第二芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度;以及
设置在第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔底部的散热结构,所述散热结构与所述第二导电通孔电连接,所述散热结构为铜柱。
2.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构,其特征在于,还包括设置在所述载片上表面和所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔内侧和底部的表面钝化层。
3.如权利要求1所述的不同厚度芯片嵌入载片结构,其特征在于,所述第一芯片和/或所述第二芯片通过底填焊接材料正装贴片设置在所述第一芯片埋入腔和/或所述第二芯片埋入腔中。
4.如权利要求3所述的不同厚度芯片嵌入载片结构,其特征在于,所述底填焊接材料为焊锡或导电银胶/银浆。
5.如权利要求3所述的不同厚度芯片嵌入载片结构,其特征在于,第一芯片和/或所述第二芯片具有背面电极,所述背面电极通过所述散热结构和/或所述底填焊接材料与所述第二导电通孔电连接,并通过所述第二导电通孔实现接地或与外部电连接。
6.一种不同厚度芯片嵌入载片结构的制造方法,包括:
在载片上形成第一通孔和第二通孔,所述第一通孔的深度大于所述第二通孔的深度;
对第一通孔、第二通孔进行导电填充,形成第一导电通孔、第二导电通孔;
减薄载片的背面漏出第一导电通孔;
在第二导电通孔的上方的载板中分别形成第二空腔和第三空腔,并从所述第二空腔和第三空腔的底部漏出所述第二导电通孔,所述第三空腔的深度大于所述第二空腔的深度;
在载片的背面以及第二空腔和第三空腔的内侧和底部形成钝化层,并漏出第一导电通孔和第二导电通孔;
在载片背面以及第二空腔、第三空腔内部形成电镀种子层和电镀掩膜层;
电镀形成金属柱,所述金属柱与第一导电通孔、第二导电通孔电连接;
去除电镀掩膜层和电镀种子层,得到底部带有金属柱第二空腔和第三空腔结构;
在第二空腔、第三空腔的底部填铺焊接材料;以及
将不同厚度的第一芯片、第二芯片分别正装贴片设置在第二空腔和第三空腔中。
7.如权利要求6所述的不同厚度芯片嵌入载片结构的制造方法,其特征在于,在第二导电通孔的上方的载板中分别形成第二空腔和第三空腔前,在第三空腔位置先形成第一空腔,然后在第二导电通孔的上方载板表面和底部第一空腔继续刻蚀形成第二空腔和第三空腔。
8.如权利要求6所述的不同厚度芯片嵌入载片结构的制造方法,其特征在于,还包括在载片的正面和/或背面形成重新布局布线层。
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