[发明专利]一种芯片研磨方法

说明书

本发明公开了一种芯片研磨方法，包括以下步骤：(1)、首先采用固定夹具对目标芯片进行固定；(2)、采用干法刻蚀对目标芯片的氧化层进行刻蚀；(3)、接着采用离子束刻蚀机对目标芯片的金属层进行刻蚀及污染层的清理；(4)、最后对目标芯片经刻蚀后的表面进行研磨抛光，使之平整；本发明的有益效果是，通过固定夹具对目标芯片能够起到很好地固定作用，便于后期对目标芯片研磨均匀，采用等离子刻蚀及离子束刻蚀的气体异相性，能够对目标芯片的金属层和氧化层进行可控的去除，便于对芯片更好地进行研磨。

技术领域

本发明涉及研磨装置技术领域，特别是一种芯片研磨方法。

背景技术

目前超大芯片去层方法是将所需要分析的部分切割下来，作为小芯片进行去层并进行分析，这种方法已经无法适应市场对完整芯片功能的分析，但是如果直接对超大芯片进行去层分析时，其中超大芯片研磨的问题有两个方面：第一是超大芯片面积较大，研磨时表面不均匀；第二是芯片较大手工研磨无法维持恒定的研磨力度，造成芯片表面不平整。

鉴于上述情况，有必要对现有的研磨方法加以改进，使其能够适应现在对超大芯片研磨的需要。

发明内容

由于目前对于芯片研磨时,对于一些比较大的芯片通常是将需要分析的部分切割下来，然后对其进行去层分析，但是这种分析具有不完整性，若是对超大芯片直接进行去层分析时，研磨时其研磨表面不均匀，并且研磨力度不一样的话，容易造成芯片表面不平整；因此我们在现有技术缺陷的基础上设计了一种芯片研磨方法，能够更好地对超大芯片进行直接研磨工作，并且能够保证对芯片的研磨均匀及研磨力度。

实现上述目的本发明的技术方案为，一种芯片研磨方法，包括以下步骤：

(1)、首先采用固定夹具对目标芯片进行固定；

(2)、采用干法刻蚀对目标芯片的氧化层进行刻蚀；

(3)、接着采用离子束刻蚀机对目标芯片的金属层进行刻蚀及污染层的清理；

(4)、最后对目标芯片经刻蚀后的表面进行研磨抛光，使之平整。

对本技术方案的进一步补充，固定夹具包括夹具框架、安装于夹具框架上的支撑杆、套设于支撑杆上的弹簧、设置于支撑杆下方的底座、设置于底座下方的目标芯片；目标芯片处于研磨的中心位置。

对本技术方案的进一步补充，所述夹具框架呈“口”字形，其下方设有凹槽，底座卡接在凹槽内；所述支撑杆贯穿夹具框架的上下表面且凸出设置于夹具框架的上端，所述支撑杆的下端与底座的上表面固定连接，所述弹簧的一端顶靠在夹具框架的内表面，另一端顶靠在底座的上表面；目标芯片镶嵌在底座的下表面。

对本技术方案的进一步补充，所述底座上位于目标芯片的两端还镶嵌有补偿芯片，该补偿芯片与目标芯片连接，其厚度大于目标芯片的厚度。

对本技术方案的进一步补充，补偿芯片和目标芯片外包覆有一层树脂。

对本技术方案的进一步补充，所述底座的强度大于目标芯片的强度。

对本技术方案的进一步补充，干法刻蚀采用等离子刻蚀。

其有益效果在于，首先通过固定夹具对目标芯片能够起到很好地固定作用，便于后期对目标芯片研磨均匀，采用等离子刻蚀及离子束刻蚀的气体异相性，能够对目标芯片的金属层和氧化层进行可控的去除，便于对芯片更好地进行研磨；目标芯片两侧设有补偿芯片，补偿芯片与目标芯片外侧设有树脂，研磨时会先裸露出补偿芯片，然后继续研磨目标芯片上的树脂逐渐减薄，直至目标芯片表面露出，该过程可以观察目标芯片上树脂变化的情况来判断研磨过程是否均匀，便于人们进行使用。

附图说明

图1是本发明的整体安装结构示意图；

图2是本发明目标芯片工作状态下安装在底座上的结构示意图；