[发明专利]一种芯片研磨方法在审
申请号: | 202011566126.7 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112786445A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 左振宏;赵一诚 | 申请(专利权)人: | 苏州芯联成软件有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/687 |
代理公司: | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人: | 刘巍 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 研磨 方法 | ||
1.一种芯片研磨方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)、首先采用固定夹具对目标芯片进行固定;
(2)、采用干法刻蚀对目标芯片的氧化层进行刻蚀;
(3)、接着采用离子束刻蚀机对目标芯片的金属层进行刻蚀及污染层的清理;
(4)、最后对目标芯片经刻蚀后的表面进行研磨抛光,使之平整。
2.根据权利要求1所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,固定夹具包括夹具框架、安装于夹具框架上的支撑杆、套设于支撑杆上的弹簧、设置于支撑杆下方的底座、设置于底座下方的目标芯片;目标芯片处于研磨的中心位置。
3.根据权利要求2所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,所述夹具框架呈“口”字形,其下方设有凹槽,底座卡接在凹槽内;所述支撑杆贯穿夹具框架的上下表面且凸出设置于夹具框架的上端,所述支撑杆的下端与底座的上表面固定连接,所述弹簧的一端顶靠在夹具框架的内表面,另一端顶靠在底座的上表面;目标芯片镶嵌在底座的下表面。
4.根据权利要求3所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,所述底座上位于目标芯片的两端还镶嵌有补偿芯片,该补偿芯片与目标芯片连接,其厚度大于目标芯片的厚度。
5.根据权利要求4所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,补偿芯片和目标芯片外包覆有一层树脂。
6.根据权利要求3所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,所述底座的强度大于目标芯片的强度。
7.根据权利要求1所述的一种芯片研磨方法,其特征在于,干法刻蚀采用等离子刻蚀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造