[发明专利]发光显示装置以及制造发光显示装置的方法在审
| 申请号: | 202011563123.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN113053960A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 申相一;李泫奇;李复兴 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;刘敏 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 显示装置 以及 制造 方法 | ||
公开了一种发光显示装置以及制造发光显示装置的方法,该发光显示装置被配置成使得在形成发光装置之后的检查过程中确定生成颗粒的区域,并且相应地形成覆盖图案。防止了颗粒用作为杂质的渗透路径,由此提高了发光显示装置的可靠性。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月26日提交的韩国专利申请第P2019-0175565号的权益,该韩国专利申请通过引用并入本文,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及显示装置,更具体地,涉及发光显示装置以及制造发光显示装置的方法,该发光显示装置被配置成使得通过其结构改变来防止由于杂质离子的渗透而对有机层的损坏。
背景技术
随着近来全面信息时代的到来,能够在视觉上表达电信息信号的显示器已经迅速发展。相应地,已经开发了具有优异性能(例如纤薄、重量轻和低功耗)的各种平板显示装置,并且这些平板显示装置已经迅速地取代了常规的阴极射线管(CRT)。
平板显示装置的具体示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光显示(OLED)装置。
其中,有机发光显示装置不需要单独的光源,具有紧凑的结构并且能够显示生动的颜色,被认为是具有竞争力的应用。
有机发光显示装置包括有机层。然而,即使当在有机层上形成电极和钝化层的情况下,有机层也可能被后续过程中生成的颗粒损坏。
发明内容
因此,本发明涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的发光显示装置以及制造发光显示装置的方法。
本发明的目的是提供一种发光显示装置以及制造发光显示装置的方法,该发光显示装置被配置成使得在形成发光装置之后的检查过程中确定生成颗粒的区域,并且相应地形成覆盖图案,由此提高发光显示装置的可靠性。
本发明的另外的优点、目的和特征将在以下的描述中部分地阐述,并且部分地对于本领域普通技术人员而言在研究以下描述时将变得明显或者可以从对本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过在书面描述和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
在根据本发明的发光显示装置以及制造发光显示装置的方法中,在形成发光装置之后的检查过程中确定生成颗粒的区域,并且相应地形成覆盖图案。覆盖图案选择性地形成在生成颗粒的区域中,由此防止颗粒用作为杂质的渗透路径,因此提高了发光显示装置的可靠性。
为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的,如本文中体现和广泛描述的,一种发光显示装置包括:在基板上的堤部,该堤部被配置成限定多个子像素的发射部分;在基板上的多个子像素中的每一个子像素处的发光装置,该发光装置包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极;颗粒覆盖图案,其被配置成覆盖堤部上的颗粒;以及封装层,其在基板的整个表面上并且在颗粒覆盖图案上方。
在本发明的另一方面,一种制造发光显示装置的方法包括:第一步骤:在基板上设置堤部,该堤部被配置成限定多个子像素的发射部分,以及在多个子像素中的每一个子像素处设置发光装置,该发光装置包括堆叠的第一电极、有机层和第二电极;第二步骤:检查基板上的颗粒;第三步骤:形成被配置成覆盖颗粒的颗粒覆盖图案;以及第四步骤:在覆盖颗粒覆盖图案的情况下在基板的整个表面上设置封装层。
应当理解,本发明的前面的一般性描述和下面的详细描述是示例性和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本申请中且构成本申请的一部分,附图示出了本发明的一种或多种实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是根据本发明的发光显示装置的平面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





