[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基底；

一鳍片结构，从该基底突出；

多个纳米结构，形成在该鳍片结构上方；

一栅极结构，围绕所述多个纳米结构；

一源极/漏极结构，连接至所述多个纳米结构；以及

一隔离部件，夹设在该鳍片结构和该源极/漏极结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该隔离部件的一顶表面低于所述多个纳米结构的一最底表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该隔离部件的一顶表面高于所述多个纳米结构的一最底表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该隔离部件由未掺杂的半导体材料制成。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该隔离部件由绝缘材料制成。

6.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中该隔离部件具有弯曲的顶表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该隔离部件包括直接接触该鳍片结构的一衬垫和在该衬垫上方并直接接触该源极/漏极结构的一绝缘材料。

8.一种半导体结构，包括：

一基底；

一第一鳍片结构，从该基底突出；

多个第一纳米结构，形成在该第一鳍片结构上方；

一栅极结构，在一通道区包覆环绕所述多个第一纳米结构；

一隔离部件，在一源极/漏极区覆盖该第一鳍片结构的一顶表面；以及

一第一源极/漏极结构，形成在该隔离结构上方并连接至所述多个第一纳米结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构，还包括：

多个第一内间隔物，形成在所述多个第一纳米结构之间，

其中所述多个第一内间隔物将该隔离部件和该栅极结构隔开。

10.一种半导体结构的制造方法，包括：

在一基底上方交替堆叠多个第一半导体材料层和多个第二半导体材料层；

将所述多个第一半导体材料层、所述多个第二半导体材料层和该基底图案化以形成一鳍片结构；

在该鳍片结构的一源极/漏极区中形成一源极/漏极凹槽；

在该源极/漏极凹槽中形成一隔离部件；

形成一源极/漏极结构覆盖该隔离部件；

移除所述多个第一半导体材料层以在一通道区中从所述多个第二半导体材料层形成多个纳米结构；以及

形成包覆环绕所述多个纳米结构的一栅极结构。