[发明专利]一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源在审
申请号: | 202011559986.8 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112737390A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 张雷;郑一专;吴典;周玲玲;崔瑾;姚子豪;邹昊;杨德健;任磊 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M7/06 |
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地址: | 226019 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pwm 技术 熔喷布驻极 电源 | ||
本发明涉及熔喷布驻极电源技术领域,尤其涉及一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源,包括交流电源Vac、滤波电容C、不控整流桥、逆变电路和高压包;交流电源Vac与不控整流桥连接,不控整流桥与逆变电路连接,不控整流桥与逆变电路之间并联滤波电容C,逆变电路与高压包连接;高压包包括与逆变电路连接的升压变压器、以及与升压变压器连接的高压侧整流桥;本发明通过PWM技术对逆变电路控制来实现不控整流输出电压VAB的逆变,通过调节调制度以调节逆变电压,经高压包后,调节输出直流高电压;与传统的熔喷布驻极电源相比,本发明降低了器件的电流应力,增加器件的使用寿命,提高电路的可靠性,简化了电路参数的计算,电路拓扑简单,安装方便。
技术领域
本发明涉及熔喷布驻极电源技术领域,尤其涉及一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源。
背景技术
目前,在熔喷布电源中,常采用LLC谐振电路作为电源拓扑,其结构包括:不控整流桥、LLC谐振逆变电路、高压包。其中最关键的部件是LLC谐振电路,其主要功能为:通过调节LLC谐振电路的输入电压频率,以改变LLC谐振逆变电路的输出阻抗来调节输出电压。一般情况下,LLC电路拓扑应用在熔喷布驻极电源时,由于Lr、Cr谐振电路的特性,其电流应力大,对逆变桥电路中的器件造成巨大的负担,很容易逆变桥电路中的损坏电力电子器件;传统的基于LLC谐振电路的熔喷布驻极电源,其Lr、Cr参数计算繁琐,大大增加了设计的难度。随着生产技术的发展,当前对熔喷布驻极电源的要求不断增加,对电源的稳定性有更高的要求,一种稳定性好、设计简单的电源拓扑被迫切的需要。为此,本发明提供了一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源,可降低电路参数的计算难度,提高电路的稳定性。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源,可以减小逆变电路中的电流应力,提高电力电子器件的可靠性,降低电路参数的设计难度。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源,包括交流电源Vac、滤波电容C、不控整流桥、逆变电路和高压包;所述交流电源Vac与不控整流桥连接,所述不控整流桥与逆变电路连接,所述不控整流桥与逆变电路之间并联滤波电容C,所述逆变电路与高压包连接;
所述不控整流桥由第一二极管VD1、第二二极管VD2、第三二极管VD3和第四二极管VD4构成,所述第一二极管VD1和第二二极管VD2的中间端与交流电源Vac的一端连接,所述第三二极管VD3和第四二极管VD4的中间端与交流电源Vac的另一端连接;
所述逆变电路由第一MOS场效应管M1、第二MOS场效应管M2、第三MOS场效应管M3和第四MOS场效应管M4构成;
所述高压包包括与逆变电路连接的升压变压器、以及与升压变压器连接的高压侧整流桥。
优选地,所述第一MOS场效应管M1和第二MOS场效应管M2的中间端与升压变压器低压侧的一端连接,所述第三MOS场效应管M3和第四MOS场效应管M4的中间端与升压变压器低压侧的另一端连接,所述升压变压器的高压侧与高压侧整流桥连接。
优选地,逆变电路中器件MOS场效应管的参数选择步骤如下:
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