[发明专利]一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源

权利要求书

1.一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源，其特征在于，包括交流电源(V_ac)、滤波电容(C)、不控整流桥、逆变电路和高压包；所述交流电源(V_ac)与不控整流桥连接，所述不控整流桥与逆变电路连接，所述不控整流桥与逆变电路之间并联滤波电容(C)，所述逆变电路与高压包连接；

所述不控整流桥由第一二极管(VD₁)、第二二极管(VD₂)、第三二极管(VD₃)和第四二极管(VD₄)构成，所述第一二极管(VD₁)和第二二极管(VD₂)的中间端与交流电源(V_ac)的一端连接，所述第三二极管(VD₃)和第四二极管(VD₄)的中间端与交流电源(V_ac)的另一端连接；

所述逆变电路由第一MOS场效应管(M₁)、第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)和第四MOS场效应管(M₄)构成；

所述高压包包括与逆变电路连接的升压变压器、以及与升压变压器连接的高压侧整流桥。

2.根据权利要求1所述的一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源，其特征在于，所述第一MOS场效应管(M₁)和第二MOS场效应管(M₂)的中间端与升压变压器低压侧的一端连接，所述第三MOS场效应管(M₃)和第四MOS场效应管(M₄)的中间端与升压变压器低压侧的另一端连接，所述升压变压器的高压侧与高压侧整流桥连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源，其特征在于，当第一MOS场效应管(M₁)、第四MOS场效应管(M₄)开通时，流过第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)的电流为0，流过第一MOS场效应管(M₁)、第四MOS场效应管(M₄)的电流大小取决于负载电流和高压包内升压变压器激磁电流，其计算公式：

i_M＝i₀+Ni_L

其中，i_M为流过第一MOS场效应管(M₁)、第二MOS场效应管(M₂)的电流，i₀为高压包内升压变压器激磁电流，N为高压包内升压变压器副边与原边的匝数比，i_L为熔喷布驻极电源输出电流；

当第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)开通时，流过第一MOS场效应管(M₁)、第四MOS场效应管(M₄)的电流为0，流过第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)的电流计算公式与上述公式相同。

4.根据权利要求1所述的一种基于PWM技术的熔喷布驻极电源，其特征在于，所述基于PWM技术的熔喷布驻极电源的实现方法：

当第一MOS场效应管(M₁)、第四MOS场效应管(M₄)开通时，第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)处于关断状态，电流先后流过不控整流电路、第一MOS场效应管(M₁)、升压变压器低压侧、第四MOS场效应管(M₄)，最后，经不控整流电路流回交流电源；

当第二MOS场效应管(M₂)、第三MOS场效应管(M₃)开通时，第一MOS场效应管(M₁)、第四MOS场效应管(M₄)处于关断状态，电流经不控整流桥流入，分别经过第第三MOS场效应管(M₃)、升压变压器低压侧、第二MOS场效应管(M₂)后，经不控整流桥流出。