[发明专利]集成电路

说明书

集成电路包括在第一标准单元SC中沿着一方向间隔间距S的第一和第二主动区AR，其在第一和第二单元边缘CE之间沿着该方向跨越第一尺寸D_l。第一和第二AR中的每一者沿着该方向跨越第一宽度W₁；在第二SC中间隔间距S的第三AR和第四AR，其在第三CE和第四CE之间沿着该方向跨过第二尺寸D_s；以及栅极堆叠从第二SC的第四CE延伸到第一SC的第一CE，其中D_s＜D_l；第三和第四AR中的每一者沿着该方向跨越第二宽度W₂；W₂W₁；以及第三CE与第二CE对准并接触。第一和第二AR的结构与第三和第四AR的结构不同。

技术领域

本公开涉及一种集成电路。

背景技术

在集成电路(integrated circuit；IC)的设计中，具有某些功能的标准单元被高频率重复使用。因此，那些标准单元被预先设计并包装在单元库(cell library)中。单元库被提供给IC设计者以用于其特定设计。在集成电路设计期间，从单元库中取得标准单元并将其放置在所需的位置，从而减少了设计工作。接着执行布线(routing)以连接标准单元和其他电路区域，以形成所需的集成电路。当将标准单元放置在所需位置时，遵循预先定义的设计规则。举例来说，一个标准单元被放置靠近另一个标准单元，这两个标准单元之间之间隔是根据预先定义的规则确定的。标准单元和单元边界之间的保留空间会导致标准单元面积的显着增加。所得装置的封装密度和效能下降。布局图案和配置会影响标准单元的良率和设计效能。因此，期望具有集成电路布局结构及其制造方法以解决上述问题。

发明内容

本公开提供一种集成电路。集成电路包括第一标准单元、第二标准单元和多个栅极堆叠。第一标准单元沿着第一方向从第一单元边缘跨越第一尺寸D_l到第二单元边缘，并且沿着与第一方向正交的第二方向从第三单元边缘跨越到第四单元边缘，其中第一标准单元包括第一主动区和第二主动区，第一主动区和第二主动区之间沿着第一方向以第一间距间隔，并且第一主动区和第二主动区中的每一者沿着第一方向跨越第一宽度W₁。第二标准单元沿着第一方向从第五单元边缘跨越第二尺寸D_s到第六单元边缘，并且沿着第二方向从第七单元边缘跨越到第八单元边缘，其中第二标准单元包括第三主动区和第四主动区，第三主动区和第四主动区之间沿着第一方向以第一间距间隔，其中第二尺寸D_s小于第一尺寸D_l，第三主动区和第四主动区中的每一者沿着第一方向跨越第二宽度W₂，其中第二宽度W₂小于第一宽度W₁，并且第二标准单元被设置以使得第五单元边缘与第二单元边缘对准并接触。多个栅极堆叠沿着第一方向定向，并且从第二标准单元的第六单元边缘连续延伸到第一标准单元的第一单元边缘，其中第一主动区和第二主动区的结构与第三主动区和第四主动区的结构不同。