[发明专利]集成电路在审
| 申请号: | 202011559384.2 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN113053872A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 王志豪;张尚文;曹敏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 | ||
1.一种集成电路,包括:
一第一标准单元,沿着一第一方向从一第一单元边缘跨越一第一尺寸到一第二单元边缘,并且沿着与上述第一方向正交的一第二方向从一第三单元边缘跨越到一第四单元边缘,其中上述第一标准单元包括一第一主动区和一第二主动区,上述第一主动区和上述第二主动区之间沿着上述第一方向以一第一间距间隔,并且上述第一主动区和上述第二主动区中的每一者沿着上述第一方向跨越一第一宽度;
一第二标准单元,沿着上述第一方向从一第五单元边缘跨越一第二尺寸到一第六单元边缘,并且沿着上述第二方向从一第七单元边缘跨越到一第八单元边缘,其中上述第二标准单元包括一第三主动区和一第四主动区,上述第三主动区和上述第四主动区之间沿着上述第一方向以上述第一间距间隔,其中上述第二尺寸小于上述第一尺寸,上述第三主动区和上述第四主动区中的每一者沿着上述第一方向跨越一第二宽度,其中上述第二宽度小于上述第一宽度,并且上述第二标准单元被设置以使得上述第五单元边缘与上述第二单元边缘对准并接触;以及
多个栅极堆叠,沿着上述第一方向定向,并且从上述第二标准单元的上述第六单元边缘连续延伸到上述第一标准单元的上述第一单元边缘,其中上述第一主动区和上述第二主动区的一结构与上述第三主动区和上述第四主动区的一结构不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





