[发明专利]一种高稳定性单晶硅压差传感器

权利要求书

1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器壳体(13)，其特征在于：

所述传感器壳体(13)的内侧中部设有中隔板(12)，中隔板(12)的中部安装有单晶硅传感器芯片(15)，单晶硅传感器芯片(15)的左右侧空间分别为传感器正压腔(9)和传感器负压腔(10)；

所述单晶硅传感器芯片(15)的左右两侧还分别配合连接有第一过压保护膜(14)和第二过压保护膜(16)，所述传感器正压腔(9)远离第一过压保护膜(14)的一侧设有第一测量腔(7)，第一测量腔(7)的端口第一隔离波纹片安装口(1)处安装有第一隔离波纹片(5)，所述传感器负压腔(10)远离第二过压保护膜(16)的一侧设有第二测量腔(8)，第二测量腔(8)的端口第二隔离波纹片安装口(2)处安装有第二隔离波纹片(6)；

所述传感器正压腔(9)内还周向分布设有多个第一通油腔道(17)，第一通油腔道(17)的两端分别与第一过压保护膜(14)和第一测量腔(7)连接，传感器负压腔(10)内还周向分布设有多个第二通油腔道(22)，第二通油腔道(22)的两端分别与第二过压保护膜(16)和第二测量腔(8)连接，相邻的两个第一通油腔道(17)之间以及相邻的两个第二通油腔道(22)之间分别通过支通油腔道(24)连接，且所述第一通油腔道(17)、第二通油腔道(22)和支通油腔道(24)内填充有硅油；

所述第一通油腔道(17)和第二通油腔道(22)均周向均匀分布设有三个，多个第一通油腔道(17)和第二通油腔道(22)均水平设置，且相邻两个第一通油腔道(17)之间的夹角以及相邻两个第二通油腔道(22)之间的夹角均为60°，中间的一个第一通油腔道(17)和第二通油腔道(22)共轴线设置，且中间的一个第一通油腔道(17)垂直连接于第一过压保护膜(14)的中心位置，中间的一个第二通油腔道(22)垂直连接于第二过压保护膜(16)的中心位置；

所述支通油腔道(24)为圆弧形结构，相邻两个第一通油腔道(17)之间的支通油腔道(24)两端分别对应连接于两个第一通油腔道(17)的中间位置，相邻两个第二通油腔道(22)之间的支通油腔道(24)两端分别对应连接于两个第二通油腔道(22)的中间位置。

2.根据权利要求1所述的高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于，所述第一测量腔(7)的腔壁上设有多个用于对第一隔离波纹片(5)进行支撑固定的第一加固凸块(3)，第二测量腔(8)的腔壁上设有多个用于对第二隔离波纹片(6)进行支撑固定的第二加固凸块(4)。

3.根据权利要求1所述的高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于，中间的一个第一通油腔道(17)的上侧中部还连接有第一充油管道(18)，第一充油管道(18)从传感器壳体(13)的顶部伸出，且第一充油管道(18)和传感器壳体(13)的顶部密封固定连接，第一充油管道(18)的上端还可拆卸安装有第一密封盖(19)。

4.根据权利要求1所述的高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于，中间的一个第二通油腔道(22)的上侧中部还连接有第二充油管道(21)，第二充油管道(21)从传感器壳体(13)的顶部伸出，且第二充油管道(21)和传感器壳体(13)的顶部密封固定连接，第二充油管道(21)的上端还可拆卸安装有第二密封盖(20)。

5.根据权利要求1所述的高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于，所述单晶硅传感器芯片(15)的外侧还配合安装有环形隔离保护垫(11)，环形隔离保护垫(11)的外壁与中隔板(12)连接，环形隔离保护垫(11)的内壁与单晶硅传感器芯片(15)连接，且所述环形隔离保护垫(11)采用抗静电绝缘材质制成。

6.根据权利要求5所述的高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于，所述中隔板(12)的上部还设有一个传感器连接通道(23)，传感器连接通道(23)靠近单晶硅传感器芯片(15)的一侧设有芯片硅膜区(25)。