[发明专利]非易失芯片强0修复验证方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种非易失芯片强0修复验证方法、装置、存储介质和终端，首先随机化将第一数组内的部分数据初始为0，之后根据第一数组为0的位置找到第二数组该位置，将第二数组该位置数据概率性初始化为1；通过使用随机化及概率化操作以模拟Nor Flash中存在弱0的存储单元，通过对比第一数组内的数据和第二数组内的数据，找到第二数组中需要进行stress0的存储单元，然后执行stress0操作，再对比第一数组内的数据和第二数组内的数据，若一致，则对第二数组执行stress0成功，反之stress0执行不成功；本方案中，通过将第二数组内的某些数据概率性地初始化为0，提高了验证的随机性，使验证的准确性更高。

技术领域

本发明涉及非易失芯片验证技术领域，尤其涉及的是一种非易失芯片强0修复验证方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

在Nor Flash中，对某一存储单元执行擦操作后，可能会对芯片内其他的存储单元造成影响，使本来是0的存储单元变成弱0（偏向于1的0称为弱0），而stress0是用来将弱0修复为强0。

仿真验证擦功能一般只是检查最终结果，而stress0只是中间操作，步骤操作准确性不易检查。传统做法一般使用断言验证去验证stress0，但是，断言只能保证约定时序是否有执行，而不能保证stress0操作最终能否操作成功，随机性也不够。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种非易失芯片强0修复验证方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的非易失芯片验证中不能验证stress0是否操作成功的问题。

本发明的技术方案如下：一种非易失芯片强0修复验证方法，其中，具体包括以下步骤：

定义两个数组，分别为第一数组和第二数组；

随机初始化第一数组内的数据；

根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据；

读取第一数组内的数据和第二数组内的数据；

对比第一数组内的数据和第二数组内的数据，找出第一数组和第二数据内的数据不一致的存储单元；

对第二数组内与第一数组数据不一致的存储单元执行stress0操作；

读取第二数组执行完编程操作后的数据；

对比第一数组内的数据和第二数组内的数据，根据对比结果判断stress0是否执行成功。

所述的非易失芯片强0修复验证方法，其中，所述第一数组和第二数组与待测NorFlash的存储空间容量一致，第一数组和第二数组内的存储单元与Nor Flash内的存储单元具有相同的行为。

所述的非易失芯片强0修复验证方法，其中，所述随机初始化第一数组内的数据，具体过程如下：使第一数组内的存储单元的数据随机初始化为0或者随机初始化为1。

所述的非易失芯片强0修复验证方法，其中，所述根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据，具体包括以下过程：若第一数组内某一位置的数据为1，则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据初始化为1；若第一数组内某一位置的数据为0，则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据概率性地初始化为0。

所述的非易失芯片强0修复验证方法，其中，所述若第一数组内某一位置的数据为0，则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据概率性地初始化为0是指：若第一数组内某一位置的数据为0，则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据按照一定概率地初始化为0或者初始化为1。

所述的非易失芯片强0修复验证方法，其中，所述根据对比结果判断stress0是否执行成功，若第一数组内的数据和第二数组内的数据完全相同，则stress0执行成功，否则stress0执行不成功。