[发明专利]非易失芯片强0修复验证方法、装置、存储介质和终端有效
| 申请号: | 202011554835.3 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN112464501B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
| 发明(设计)人: | 张新展;陈胜源;朱雨萌;张宇 | 申请(专利权)人: | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20 |
| 代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失 芯片 修复 验证 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
1.一种非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
定义两个数组,分别为第一数组和第二数组;
随机初始化第一数组内的数据;
根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据;
读取第一数组内的数据和第二数组内的数据;
对比第一数组内的数据和第二数组内的数据,找出第一数组和第二数据内的数据不一致的存储单元;
对第二数组内与第一数组数据不一致的存储单元执行stress0操作,所述stress0操作为强0修复操作;
读取第二数组执行完编程操作后的数据;
对比第一数组内的数据和第二数组内的数据,根据对比结果判断stress0是否执行成功;
所述根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据,具体包括以下过程:若第一数组内某一位置的数据为1,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据初始化为1;若第一数组内某一位置的数据为0,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据概率性地初始化为0。
2.根据权利要求1所述的非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,所述第一数组和第二数组与待测Nor Flash的存储空间容量一致,第一数组和第二数组内的存储单元与NorFlash内的存储单元具有相同的行为。
3.根据权利要求1所述的非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,所述随机初始化第一数组内的数据,具体过程如下:使第一数组内的存储单元的数据随机初始化为0或者随机初始化为1。
4.根据权利要求1所述的非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,所述若第一数组内某一位置的数据为0,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据概率性地初始化为0是指:若第一数组内某一位置的数据为0,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据按照一定概率地初始化为0或者初始化为1。
5.根据权利要求1所述的非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,所述根据对比结果判断stress0是否执行成功,若第一数组内的数据和第二数组内的数据完全相同,则stress0执行成功,否则stress0执行不成功。
6.根据权利要求1所述的非易失芯片强0修复验证方法,其特征在于,所述对第二数组内与第一数组数据不一致的存储单元执行stress0操作,具体是指:对第二数组内与第一数组数据不一致的存储单元执行编程操作。
7.一种非易失芯片强0修复验证装置,其特征在于,包括:
数组定义模块,定义两个数组,分别为第一数组和第二数组;
第一数组初始模块,随机初始化第一数组内的数据;
第二数组初始模块,根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据;
数据读取模块,读取第一数组内的数据和第二数组内的数据;
对比模块,对比第一数组内的数据和第二数组内的数据,找出第一数组和第二数据内的数据不一致的存储单元;
编程模块,对第二数组内与第一数组数据不一致的存储单元执行stress0操作,所述stress0操作为强0修复操作;
判断模块,对比第一数组内的数据和第二数组内的数据,根据对比结果判断stress0是否执行成功;
所述根据第一数组内的数据初始化第二数组内的数据,具体包括以下过程:若第一数组内某一位置的数据为1,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据初始化为1;若第一数组内某一位置的数据为0,则将第二数组内对应第一数组该位置上的数据概率性地初始化为0。
8.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机上运行时,使得所述计算机执行权利要求1至6任一项所述的方法。
9.一种终端,其特征在于,包括处理器和存储器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序,用于执行权利要求1至6任一项所述的方法。
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