[发明专利]基于真实建模的过擦除验证方法、装置、存储介质和终端有效
| 申请号: | 202011554822.6 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN112466376B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
| 发明(设计)人: | 张新展;陈胜源;朱雨萌;张宇 | 申请(专利权)人: | 芯天下技术股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/44 |
| 代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 真实 建模 擦除 验证 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
本发明公开了一种基于真实建模的过擦除验证方法、装置、存储介质和终端,通过使用Verilog代码对非易失存储器内需要进行过擦除修复的存储单元进行建模,在接收过擦除修复指令时,产生一个随机数,根据随机数对数组模型内的存储单元执行过擦除修复,当检测到操作次数达到随机数时,判断数组模型内的存储单元的数据是否全部写为0并输出过擦除修改验证结果;在对非易失存储器控制端的验证阶段,通过Verilog代码建立一个高度接近实际的数组模型,通过验证数组模型去模拟非易失存储器控制端对于过擦除修复的真实特性,能更加准确的验证控制端操作的准确性,而且自动检查过擦除修复操作结果则增强了验证的自动化程度。
技术领域
本发明涉及非易失存储器验证技术领域,尤其涉及的是一种基于真实建模的过擦除验证方法、装置、存储介质和终端。
背景技术
在对非易失存储器控制端的验证阶段,往往会建立一个memory cell模型接收控制器操作并反馈操作结果。传统做法一般是memory cell模型收到过擦除修复资料便将memory cell模型内需要进行过擦除修复的存储单元内的数据由1变成0,现有的对这种memory cell模型内存储单元的过擦除验证方式是完全理想化的,不能反映非易失存储器真实特性因而也不能准确验证非易失存储器控制器的功能。
因此,现有的技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于真实建模的过擦除验证方法、装置、存储介质和终端,旨在解决现有的对过于理想的memory cell模型内存储单元的过擦除验证不能反映非易失存储器真实特性,不能准确验证非易失存储器控制器功能的问题。
本发明的技术方案如下:一种基于真实建模的过擦除验证方法,其中,具体包括以下步骤:
使用Verilog代码对非易失存储器内需要进行过擦除修复的存储单元进行建模,得到数组模型;
接收过擦除修复指令,随机生成一个随机操作次数;
根据过擦除修复指令和随机操作次数对数组模型内的存储单元执行过擦除修复;
判断操作次数是否达到随机操作次数,
否则跳转至根据过擦除修复指令和随机操作次数对数组模型内的存储单元执行过擦除修复;
是则判断数组模型内的全部存储单元是否成功执行过擦除修复,得到过擦除修复验证结果并输出。
所述的基于真实建模的过擦除验证方法,其中,所述判断数组模型内的全部存储单元是否成功执行过擦除修复,具体过程如下:判断数组模型内的存储单元的数据是否全部写为0。
所述的基于真实建模的过擦除验证方法,其中,所述判断数组模型内的全部存储单元是否成功执行过擦除修复,得到过擦除修复验证结果并输出,具体包括以下步骤:
s51:判断数组模型内的存储单元的数据是否全部写为0,是则跳转至s52,否则跳转至s53;
s52:过擦除修复成功,输出验证结果;
s53:过擦除修复失败,输出验证结果。
所述的基于真实建模的过擦除验证方法,其中,所述使用Verilog代码对非易失存储器内需要进行过擦除修复的存储单元进行建模,得到数组模型,具体过程如下:使用Verilog代码对非易失存储器内需要进行过擦除修复的存储单元进行建模,建立一个与非易失存储器内需要进行过擦除修复的存储单元一致的数组,数组内设置有若干个bit,每个bit对应非易失存储器内的一个cell,该数组即为数组模型。
所述的基于真实建模的过擦除验证方法,其中,所述数组模型内的全部存储单元内的数据初始为1。
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