[发明专利]光电探测芯片制作方法

说明书

本申请涉及一种光电芯片制作方法，包括：在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；在所述钝化膜上形成扩散区；在所述扩散区进行扩散工艺；在所述基片表面生长增透膜；在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；在所述基片的表面淀积金属膜；在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及对所述基片背面进行抛光；根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；在所述基片的背面进行背面光刻工艺。本发明工艺流程简单，背面对准精度高。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光电探测芯片制作方法。

背景技术

在光电探测器芯片制备工艺流程中，通常需要在基片的正面和背面制作图形，因此背面对准技术非常关键。

双面光刻机可同时观察到基片的正面和背面，从而进行背面对准，但是该设备价格昂贵，会给企业带来成本压力，不利于大规模使用。具有红外光源的光刻机可在基片下方加入红外光源，曝光时基片正面朝下，红外光透过基片，将正面标记图形投射到镜头中，从而进行背面对准，且设备价格较为低廉，但是光电探测器芯片的外延结构中通常带有光吸收层，会导致红外光无法透过基片，无法实现制作。单面光刻机来也可实现背面光刻，但是需要将基片粘在玻璃片上，且该方法操作复杂、对准精度低、不适用于生产。

因此，需要一种，工艺简单而且背面对准精度高的光电探测器芯片制作方法。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种光电探测芯片制作方法，应用于具有红外光源的光刻机，工艺简单而且背面对准精度高。

第一方面，本发明公开了一种光电探测芯片制作，包括：

采用光刻腐蚀方法在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；

采用化学气相沉积法在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；

采用光刻腐蚀方法在所述钝化膜上形成扩散区；

采用高温掺杂的方法在所述扩散区进行扩散工艺；

采用化学气相沉积法在所述基片表面生长增透膜；

采用光刻腐蚀方法在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；

采用电子束蒸发或热蒸发方法在所述基片的表面淀积金属膜；

采用光刻腐蚀方法在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；

将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及采用化学机械抛光方法对所述基片背面进行抛光；

采用所述具有红外光源的光刻机，根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；

在所述基片的背面进行背面光刻工艺。

可选的，所述基片正面的标记区域位于所述基片的非成品芯片区域。

可选的，所述采用光刻腐蚀方法在基片正面的标记区域内形成凹槽包括：

在所述基片的表面涂覆光刻胶层；

光刻、显影去除所述基片正面的标记区域内的光刻胶层；

腐蚀所述基片正面的标记区域内的外延层，直至所述基片的光吸收层以下，形成所述凹槽；

去除所述基片正面的光刻胶层。

可选的，所述根据所述基片正面的标记区域内背面对位标记进行背面对准包括：