[发明专利]光电探测芯片制作方法

权利要求书

1.一种光电探测芯片制作方法，应用于具有红外光源的光刻机，其特征在于，所述方法包括：

采用光刻腐蚀方法在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；

采用化学气相沉积法在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；

采用光刻腐蚀方法在所述钝化膜上形成扩散区；

采用高温掺杂的方法在所述扩散区进行扩散工艺；

采用化学气相沉积法在所述基片表面生长增透膜；

采用光刻腐蚀方法在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；

采用电子束蒸发或热蒸发方法在所述基片的表面淀积金属膜；

采用光刻腐蚀方法在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；

将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及采用化学机械抛光方法对所述基片背面进行抛光；

采用所述具有红外光源的光刻机，根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；

在所述基片的背面进行背面光刻工艺；

其中，所述采用光刻腐蚀方法在基片正面的标记区域内形成凹槽包括：

在所述基片的表面涂覆光刻胶层；

光刻、显影去除所述基片正面的标记区域内的光刻胶层；

腐蚀所述基片正面的标记区域内的外延层，直至所述基片的光吸收层以下，形成所述凹槽；

去除所述基片正面的光刻胶层。

2.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述基片正面的标记区域位于所述基片的非成品芯片区域。

3.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述根据所述基片正面的标记区域内背面对位标记进行背面对准包括：

设置所述基片正面面向所述光刻机的CCD成像设备及成像光学系统；

所述CCD成像设备通过所述成像光学系统提取所述凹槽内的背面对准标记，并发送至计算机存储及处理；

根据所述计算机中存储的掩膜版对位标记与所述凹槽内的背面对准标记的相对位置误差，调整所述基片的位置，以使所述基片背面对准。

4.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述背面对位标记的形状包括：十字形、方形、圆形、三角形、菱形、五角形。

5.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述基片的外延层包括：衬底、设置于所述衬底上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的光吸收层及设置于所述光 吸收层上的顶层；

所述扩散区扩散于所述基片的顶层和所述基片的光 吸收层。

6.如权利要求5所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述衬底由掺S的InP材料制成；所述缓冲层由掺Si的N型InP材料制成，所述缓冲层的厚度为0.5um～2um；所述光吸收层的厚度为1um～5um；所述顶层由InP材料制成，所述顶层的厚度为0.5um～2um。

7.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述钝化膜由SiNx材料制成，且所述钝化膜厚度大于5000A，折射率为2.0±0.05。

8.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述增透膜由SiNx材料制成，且所述增透膜厚度为1500A～2000A，折射率为1.96±0.02。

9.如权利要求1所述的光电探测芯片制作方法，其特征在于，所述扩散区的深度为1um～2um。