[发明专利]具有扇出边沿的面对面半导体装置在审
| 申请号: | 202011547413.3 | 申请日: | 2020-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN113053858A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
| 发明(设计)人: | 白宗植;高荣范 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 边沿 面对面 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置组合件,其包括:
衬底,其具有第一侧、与所述第一侧相对的第二侧以及在所述第一侧上的衬底接触件;
在所述衬底的所述第一侧上的第一半导体装置,所述第一半导体装置包括-
有源侧,其具有第一接合衬垫;以及
背侧,其与所述有源侧相对且面向所述衬底的所述第一侧;
第二半导体装置,其包括-
有源侧,其具有第二接合衬垫且面向所述第一半导体装置的所述有源侧;以及
背侧,其与所述有源侧相对;
导电连接器,其将所述第一接合衬垫可操作地耦合到所述第二接合衬垫;
扇出边沿,其在所述衬底上且邻近所述第一半导体装置的横向侧而定位;
焊线接触件,其在所述扇出边沿上,电耦合到所述第一半导体装置,所述焊线接触件定位在所述第二半导体装置的覆盖面积之外,如垂直于所述第一半导体装置的所述有源侧所观察到的;以及
焊线,其将所述焊线接触件连接到所述衬底接触件。
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述导电连接器是铜柱或铜柱凸块。
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述衬底进一步包括在所述衬底的所述第二侧处的一或多个接触衬垫,并且其中所述一或多个接触衬垫经由所述衬底内的一或多个互连件和/或通孔可操作地耦合到所述衬底接触件。
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述扇出边沿具有基本上等于所述第一半导体装置的高度的高度,如垂直于所述衬底的所述第一表面所测量到的。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一半导体装置进一步包括-
裸片衬垫,其在所述第一半导体装置的所述有源侧;以及
重布层,其在所述第一半导体装置的所述有源侧;
其中所述重布层将所述裸片衬垫可操作地耦合到所述第一接合衬垫。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第二半导体装置进一步包括--
裸片衬垫,其在所述第二半导体装置的所述有源侧;以及
重布层,其在所述第二半导体装置的所述有源侧;
其中所述重布层将所述裸片衬垫可操作地耦合到所述第二接合衬垫。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中第二半导体装置沿平行于所述第一半导体装置的所述有源侧的方向悬于所述第一半导体装置之上。
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述第一半导体装置是控制器,并且所述第二半导体装置是存储器堆叠。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件,其中所述半导体装置组合件是高带宽存储器装置。
10.一种半导体装置组合件,其包括:
衬底,其具有衬底接触件;
第一半导体装置,其包括-
有源侧;以及
背侧,其与所述有源侧相对;
第二半导体装置,其包括-
有源侧,其面向所述第一半导体装置的所述有源侧;以及
背侧,其与所述第二半导体装置的所述有源侧相对;
扇出边沿,其在所述衬底上在所述第一半导体装置的横向侧处且包含焊线接触件,所述焊线接触件电耦合到所述第一半导体装置;
焊线,其将所述焊线接触件可操作地耦合到所述衬底接触件;以及
支柱或凸块,其将所述第一半导体装置的所述有源侧可操作地耦合到所述第二半导体装置的所述有源侧;
其中所述焊线接触件可操作地耦合到所述第一半导体装置的所述有源侧。
11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件,其中所述第一半导体装置进一步包括-裸片衬垫,其在所述第一半导体装置的所述有源侧;以及
重布层,其在所述第一半导体装置的所述有源侧;
其中所述重布层将所述裸片衬垫可操作地耦合到所述支柱或凸块。
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