[发明专利]获取最佳阈值电压的方法、装置及非易失性存储设备

说明书

本发明实施例公开了获取最佳阈值电压的方法、装置及非易失性存储设备，该方法应用于非易失性存储设备，包括：获取非易失性存储设备的存储单元的电压分布，其中，电压分布中包括多个电压状态，多个电压状态的电压从左到右为递增状态，获取任意两个电压状态之间的第一默认电压，分别获取第一默认电压与第一预设电压之间的第一存储单元数量，以及第一默认电压与第二预设电压之间的第二存储单元数量，基于第一存储单元数量与第二存储单元数量，确定第一默认电压所在的最大偏移区间中的电压区间，基于第一默认电压所在电压区间，获取第一阈值电压，基于第一阈值电压，获取最佳阈值电压。通过上述方式，能够提高获取最佳阈值电压的效率。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，特别是涉及获取最佳阈值电压的方法、装置及非易失性存储设备。

背景技术

Nand Flash是一种非易失性半导体存储介质，其基本存储单元是一种类NMOS的双层浮栅MOS管。通过控制极加正电压，可以往浮栅层注入电子，注入电子数量越多，体现出来的导通电压越高，因此可以根据不同的电压分布表示不同的存储信息。

在数据存储过程中，会出现电子状态的迁移，导致数据读取出现错误。例如，读干扰会造成电压分布状态右移；电子随着时间逃逸会造成电子分布状态左移。另外，温度变化、Nand老化、相邻单元的干扰等都会造成存储数据状态的迁移，造成单个状态分布变宽甚至交叠。当数据存储状态迁移后，如果依然使用默认的判断电压读取数据，会存在大量的错误。因此，通常需要寻找到迁移后的状态分布，使用修正的判断电压(电压分布的波谷)读取数据。

然而，由于影响阈值电压分布的因素比较多，无法提前预测电压分布的趋势，为了能够找到电压分布的低谷，现有的电压分布扫描方法通常要覆盖Nand整个生命周期可能的电压波谷分布范围，效率较低。

发明内容

本发明实施例旨在提供获取最佳阈值电压的方法、装置及非易失性存储设备，能够提高获取最佳阈值电压的效率。

为实现上述目的，第一方面，本发明提供一种获取最佳阈值电压的方法，应用于非易失性存储设备，所述方法包括：

获取所述非易失性存储设备的存储单元的电压分布，其中，所述电压分布中包括多个电压状态，所述多个电压状态的电压从左到右为递增状态；

获取任意两个电压状态之间的第一默认电压；

分别获取所述第一默认电压与第一预设电压之间的第一存储单元数量，以及所述第一默认电压与第二预设电压之间的第二存储单元数量；

基于所述第一存储单元数量与所述第二存储单元数量，确定所述第一默认电压所在的最大偏移区间中的电压区间，所述最大偏移区间包括至少两个电压区间；

基于所述第一默认电压所在电压区间，获取第一阈值电压；

基于所述第一阈值电压，获取所述最佳阈值电压。

在一种可选的方式中，所述第一预设电压位于所述第一默认电压的左侧，所述第二预设电压位于所述第一默认电压的右侧，且，所述第一默认电压与所述第一预设电压之间的差值的绝对值与所述第一默认电压与所述第二预设电压之间的差值的绝对值相等。

在一种可选的方式中，所述最大偏移区间包括自左向右依次排布的第一电压区间、第二电压区间与第三电压区间；

则所述基于所述第一存储单元数量与所述第二存储单元数量，确定所述第一默认电压所在的最大偏移区间中的电压区间，包括：

若所述第一存储单元数量大于所述第二存储单元数量，则确定所述第一默认电压位于所述第一电压区间或所述第三电压区间；

若所述第一存储单元数量小于所述第二存储单元数量，则确定所述第一默认电压位于所述第二电压区间。