[发明专利]获取最佳阈值电压的方法、装置及非易失性存储设备在审
申请号: | 202011545587.6 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112582012A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 印中举;方浩俊;张吉兴 | 申请(专利权)人: | 深圳大普微电子科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 孟丽平 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 获取 最佳 阈值 电压 方法 装置 非易失性 存储 设备 | ||
1.一种获取最佳阈值电压的方法,其特征在于,应用于非易失性存储设备,所述方法包括:
获取所述非易失性存储设备的存储单元的电压分布,其中,所述电压分布中包括多个电压状态,所述多个电压状态的电压从左到右为递增状态;
获取任意两个电压状态之间的第一默认电压;
分别获取所述第一默认电压与第一预设电压之间的第一存储单元数量,以及所述第一默认电压与第二预设电压之间的第二存储单元数量;
基于所述第一存储单元数量与所述第二存储单元数量,确定所述第一默认电压所在的最大偏移区间中的电压区间,所述最大偏移区间包括至少两个电压区间;
基于所述第一默认电压所在电压区间,获取第一阈值电压;
基于所述第一阈值电压,获取所述最佳阈值电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一预设电压位于所述第一默认电压的左侧,所述第二预设电压位于所述第一默认电压的右侧,且,所述第一默认电压与所述第一预设电压之间的差值的绝对值与所述第一默认电压与所述第二预设电压之间的差值的绝对值相等。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述最大偏移区间包括自左向右依次排布的第一电压区间、第二电压区间与第三电压区间;
则所述基于所述第一存储单元数量与所述第二存储单元数量,确定所述第一默认电压所在的最大偏移区间中的电压区间,包括:
若所述第一存储单元数量大于所述第二存储单元数量,则确定所述第一默认电压位于所述第一电压区间或所述第三电压区间;
若所述第一存储单元数量小于所述第二存储单元数量,则确定所述第一默认电压位于所述第二电压区间。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一存储单元数量与所述第二存储单元数量之间的大小关系,确定所述第一默认电压所在电压区间,还包括:
获取第二默认电压与第一最大电压之间的第三存储单元数量,其中,所述第二默认电压为最右侧的两个电压状态之间的默认电压,所述第一最大电压为最右侧的电压状态的最右偏移位置的最大电压;
判断所述第三存储单元的数量是否小于第一预设阈值,
若是,则确定所述第一默认电压位于所述第三电压区间;
若否,则确定所述第一默认电压位于所述第一电压区间。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述第一默认电压位于所述第一电压区间时,
所述基于所述第一默认电压所在电压区间,获取第一阈值电压,包括:
计算所述第一默认电压与N-1倍第一预设偏移值的和,记为第N偏移电压,其中,N为正整数;
获取第N偏移电压与第N+1偏移电压之间的第四存储单元数量,以及获取第N+1偏移电压之间与第N+2偏移电压之间的第五存储单元数量;
判断所述第五存储单元数量是否大于所述第四存储单元数量,
若是,则将第N+1偏移电压记为所述第一阈值电压。
6.根据权利要求3或4所述的方法,其特征在于,当所述默认电压位于所述第二电压区间时,
所述基于所述默认电压所在电压区间,获取第一阈值电压,包括:
计算所述第一默认电压与M-1倍第一预设偏移值的差,记为第M偏移电压,其中,M为正整数;
获取第M偏移电压与第M+1偏移电压之间的第六存储单元数量,以及获取第M+1偏移电压之间与第M+2偏移电压之间的第七存储单元数量;
判断所述第七存储单元数量是否大于所述第六存储单元数量,
若是,则将第M+1偏移电压记为所述第一阈值电压。
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