[发明专利]具有三维（3D）单片存储器管芯的微电子封装

说明书

实施例可涉及微电子封装。微电子封装可包括具有下列项的存储器管芯：在存储器管芯的第一层的第一存储器单元；在存储器管芯的第二层的第二存储器单元；以及在存储器管芯中的通孔，通孔将有源管芯与微电子封装的封装衬底在通信上耦合。可描述或要求保护其它实施例。

技术领域

本公开涉及微电子封装。

背景技术

如智能电话之类的移动装置可包含相当大的存储量。例如，一些移动装置可具有在大致4与大致16千兆字节（GB）之间的堆叠封装（POP）存储器。

发明内容

按照本公开的一方面，提供一种微电子封装，包括：封装衬底；有源管芯；以及与所述封装衬底和所述有源管芯在通信上耦合的存储器管芯，其中，所述存储器管芯包括：在所述存储器管芯的第一层的第一存储器单元；在所述存储器管芯的第二层的第二存储器单元；以及在所述存储器管芯中的通孔，所述通孔将所述有源管芯与所述封装衬底在通信上耦合。

按照本公开的另一方面，提供一种电子装置，包括：天线，所述天线促成在所述电子装置与另一电子装置之间的无线通信；以及与所述天线在通信上耦合的微电子封装，其中，所述微电子封装包括：与所述电子装置的封装衬底在通信上耦合的存储器管芯，其中，所述存储器管芯包括在所述存储器管芯的第一层的第一存储器单元和在所述存储器管芯的第二层的第二存储器单元；以及芯片上系统（SOC），所述芯片上系统通过所述存储器管芯中的导电元件与所述电子装置的所述封装衬底在通信上耦合。

按照本公开的又一方面，提供一种微电子封装，包括：与所述电子装置的封装衬底在通信上耦合的存储器管芯，其中，所述存储器管芯包括：在所述存储器管芯的第一层的第一存储器单元，其中，所述第一存储器单元包括具有n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的第一动态随机存取存储器（DRAM）单元；在所述存储器管芯的第二层的第二存储器单元，其中，所述第二存储器单元包括具有n型MOSFET的第二DRAM单元；和导电元件。该微电子封装还包括：芯片上系统（SOC），所述芯片上系统通过所述存储器管芯中的所述导电元件与所述电子装置的所述封装衬底在通信上耦合。

附图说明

图1描绘按照各种实施例的具有三维（3D）单片存储器管芯的示例微电子封装。

图2描绘按照各种实施例的3D单片存储器管芯的存储器单元的示例。

图3描绘按照各种实施例的3D单片存储器管芯的示例电路架构。

图4是按照各种实施例、可以是或者可包括3D单片存储器管芯的管芯和晶圆的顶视图。

图5是按照各种实施例、可包括具有3D单片存储器管芯的微电子封装的集成电路（IC）装置组装件的侧面剖视图。

图6是按照各种实施例、可包括具有3D单片存储器管芯的微电子封装的示例电气装置的框图。

具体实施方式

在以下的详细描述中，参照构成其组成部分的附图，其中同样的标号通篇标明同样的部件，并且其中通过图示来示出可实施本公开的主题的实施例。要理解，可利用其它实施例并且可进行结构的或逻辑的变更，而没有背离本公开的范围。因此，以下的详细描述不要被视为是限制性的。

为了本公开的目的，短语“A或B”表示（A）、（B）或者（A和B）。为了本公开的目的，短语“A、B或C”表示（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C）或者（A、B和C）。

描述可使用基于透视的描述，诸如顶部/底部、进/出、之上/之下等。这类描述仅用来便于论述，而并非意在将本文所描述的实施例的应用限制到任何特定取向。

描述可使用短语“在一个实施例中”或“在实施例中”，各短语可指的是相同或不同实施例中的一个或多个。此外，如针对本公开的实施例所用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义的。