[发明专利]具有三维（3D）单片存储器管芯的微电子封装在审
| 申请号： | 202011534924.1 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113745208A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | W·戈梅斯;M·J·科布林斯基;D·B·英格利;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 付曼;姜冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 三维 单片 存储器 管芯 微电子 封装 | ||
1.一种微电子封装，包括：
封装衬底；
有源管芯；以及
与所述封装衬底和所述有源管芯在通信上耦合的存储器管芯，其中，所述存储器管芯包括：
在所述存储器管芯的第一层的第一存储器单元；
在所述存储器管芯的第二层的第二存储器单元；以及
在所述存储器管芯中的通孔，所述通孔将所述有源管芯与所述封装衬底在通信上耦合。
2.如权利要求1所述的微电子封装，其中，所述存储器管芯处于所述封装衬底与所述有源管芯之间。
3.如权利要求1所述的微电子封装，其中，所述存储器管芯的有源侧通过互连与所述有源管芯的有源侧耦合。
4.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述存储器管芯具有在100微米与150微米之间的z-高度。
5.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述存储器管芯具有在4千兆字节（GB）与16GB之间的存储器容量。
6.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述有源管芯和所述存储器管芯通过不同于引线接合的互连与所述封装衬底在通信上耦合。
7.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述存储器管芯还包括在所述存储器管芯的第一层的第三存储器单元。
8.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述第一存储器单元是存储器管芯。
9.如权利要求1-3中任一项所述的微电子封装，其中，所述第一存储器单元是包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的动态随机存取存储器（DRAM）单元。
10.如权利要求9所述的微电子封装，其中，所述n型MOSFET与所述存储器管芯的字线、所述存储器管芯的位线以及所述存储器管芯的偏压耦合。
11.一种电子装置，包括：
天线，所述天线促成在所述电子装置与另一电子装置之间的无线通信；以及
与所述天线在通信上耦合的微电子封装，其中，所述微电子封装包括：
与所述电子装置的封装衬底在通信上耦合的存储器管芯，其中，所述存储器管芯包括在所述存储器管芯的第一层的第一存储器单元和在所述存储器管芯的第二层的第二存储器单元；以及
芯片上系统（SOC），所述芯片上系统通过所述存储器管芯中的导电元件与所述电子装置的所述封装衬底在通信上耦合。
12.如权利要求11所述的电子装置，其中，所述存储器管芯具有小于150微米的z-高度。
13.如权利要求11所述的电子装置，其中，所述存储器管芯具有在4千兆字节（GB）与16GB之间的存储器容量。
14.如权利要求11-13中任一项所述的电子装置，其中，所述第一存储器单元是包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的动态随机存取存储器（DRAM）单元。
15.如权利要求11-13中任一项所述的电子装置，其中，所述存储器管芯处于所述SOC与所述封装衬底之间。
16.如权利要求11-13中任一项所述的电子装置，其中，所述SOC通过不同于引线接合的互连与所述封装衬底在通信上耦合。
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