[发明专利]一种单管IGBT并联模块及其制造方法在审
申请号: | 202011532137.3 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112635416A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 徐晶晶;尹家骅;崔建勇;马丽 | 申请(专利权)人: | 浙江阿尔法汽车技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/04;H01L29/739 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人: | 王大国 |
地址: | 314599 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 并联 模块 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种单管IGBT并联模块,包括箱体,所述箱体内设置有散热基板,所述散热基板上设置有两个并排的安装区,两个安装区上均设置有至少一个IGBT芯片,每个所述IGBT芯片与散热基板之间均设置有绝缘垫片,使IGBT模块满足不同功率等级要求,所述散热基板的下方设置有双层散热机构,提高对IGBT模块的散热效率。
技术领域
本发明属于IGBT模块领域,更具体的说涉及一种单管IGBT并联模块及其制造方法。
背景技术
IGBT模块,又叫绝缘栅双极型晶体管,目前新能源汽车行业大多采用IGBT模块形式,用于电机控制DC/AC变换,是新能源汽车中实现功率变换的关键器件,应用成熟,现有技术中针对不同电路会使用不同参数和特性的IGBT模块,但现有技术中不同参数和特性的IGBT模块之间结构不同,在安装时需要根据IGBT模块来进行电路布设,且内部为整体封装结构,导致现有的IGBT模块大多被国外知名半导体企业所垄断,其使用成本大。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种成本低,通过改变散热基板上IGBT芯片的焊接数量来改变模块的功率,同时重新对箱体上的散热结构进行改进,提高对并联模块的散热效率。
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:一种单管IGBT并联模块,包括箱体,所述箱体内设置有散热基板,所述散热基板上设置有两个并排的安装区,两个安装区上均设置有至少一个IGBT芯片,每个所述IGBT芯片与散热基板之间均设置有绝缘垫片,所述散热基板的下方设置有双层散热机构。
进一步地,所述绝缘垫片包括两片导热铜片,所述两片导热铜片之间设置有陶瓷基片。
进一步地,所述双层散热机构包括散热水道和风冷通道,所述散热水道位于散热基板与风冷通道之间,风冷通道的进气口与散热水道的出水口相对应。
进一步地,IGBT芯片与绝缘垫片之间、绝缘垫片与散热基板之间均使用真空回流焊焊接,其焊接步骤具体包括:
步骤1:将焊料涂刷在绝缘垫片的焊接位置上,然后将IGBT芯片贴装在绝缘垫片上的焊接位置;
步骤2:将贴装好的IGBT芯片的绝缘垫片放入真空回流焊设备内进行加热焊接,焊接后取出并快速冷却;
步骤3:将焊料涂刷在散热基板的焊接位置上,然后将绝缘垫片上未焊接IGBT芯片的一侧贴装在焊料层的上表面;
步骤4:将贴装好绝缘垫片的散热基板放入真空回流焊设备内进行加热焊接,焊接后取出并快速冷却所述焊料为无铅锡膏,所述无铅锡膏的中合金组分为Sn96.5Ag3.0Cu0.5。
进一步地,在步骤1与步骤3中焊料的涂刷厚度为0.1-0.15mm。
进一步地,在步骤2与步骤4中进行加热焊接时先对焊接结构预热至150℃-180℃,再进行保温60-90秒,最后升温至237℃-247℃进行焊接。
进一步地,在步骤1与步骤3中使用丝网印刷设备对焊料进行涂刷。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1.可根据客户需求,改变安装区上IGBT芯片的数量,从而使IGBT模块满足不同功率等级要求,形成整体模块化生产,从而降低IGBT模块的硬件成本;
2.通过冷却气体对散热水道后半部分上的冷却水进行吸热降温,从而使冷却水流过散热水道后半部分其对散热基板的冷却效率不变,保证散热基板上IGBT芯片能够得到有效降温,保证IGBT芯片的正常工作;
3.IGBT芯片与绝缘垫片之间、绝缘垫片与散热基板之间使用真空回流焊接,减低部件结合面之间的孔洞率,使IGBT模块的安装和制作更加可靠。
附图说明
图1为本发明中IGBT芯片并联时的结构示意图;
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