[发明专利]一种单管IGBT并联模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202011532137.3 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112635416A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐晶晶;尹家骅;崔建勇;马丽 | 申请（专利权）人： | 浙江阿尔法汽车技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/04;H01L29/739 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 王大国 |
| 地址： | 314599 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 并联 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种单管IGBT并联模块，包括箱体，其特征在于：所述箱体内设置有散热基板，所述散热基板上设置有两个并排的安装区，两个安装区上均设置有至少一个IGBT芯片，每个所述IGBT芯片与散热基板之间均设置有绝缘垫片，所述散热基板的下方设置有双层散热机构。
2.根据权利要求1所述的单管IGBT并联模块，其特征在于：所述绝缘垫片包括两片导热铜片，所述两片导热铜片之间设置有陶瓷基片。
3.根据权利要求2所述的单管IGBT并联模块，其特征在于：所述双层散热机构包括散热水道和风冷通道，所述散热水道位于散热基板与风冷通道之间，风冷通道的进气口与散热水道的出水口相对应。
4.一种单管IGBT并联模块的制造方法，其特征在于：所述IGBT芯片与绝缘垫片之间、绝缘垫片与散热基板之间均使用真空回流焊焊接，其焊接步骤具体包括：
步骤1：将焊料涂刷在绝缘垫片的焊接位置上，然后将IGBT芯片贴装在绝缘垫片上的焊接位置；
步骤2：将贴装好的IGBT芯片的绝缘垫片放入真空回流焊设备内进行加热焊接，焊接后取出并快速冷却；
步骤3：将焊料涂刷在散热基板的焊接位置上，然后将绝缘垫片上未焊接IGBT芯片的一侧贴装在焊料层的上表面；
步骤4：将贴装好绝缘垫片的散热基板放入真空回流焊设备内进行加热焊接，焊接后取出并快速冷却。
5.根据权利要求4所述的单管IGBT并联模块的制造方法，其特征在于：所述焊料为无铅锡膏，所述无铅锡膏的中合金组分为Sn96.5Ag3.0Cu0.5。
6.根据权利要求5所述的单管IGBT并联模块的制造方法，其特征在于：在步骤1与步骤3中焊料的涂刷厚度为0.1-0.15mm。
7.根据权利要求6所述的单管IGBT并联模块的制造方法，其特征在于：在步骤2与步骤4中进行加热焊接时先对焊接结构预热至150℃-180℃，再进行保温60-90秒,最后升温至237℃-247℃进行焊接。
8.根据权利要求7所述的单管IGBT并联模块的制造方法，其特征在于：在步骤1与步骤3中使用丝网印刷设备对焊料进行涂刷。
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