[发明专利]基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法在审
申请号: | 202011531131.4 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112701048A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 王忠雷;马伟男;李文帅;陆平;陈翔;朱海青;巩峰;池少腾;张睿杰 | 申请(专利权)人: | 中国航天科工集团八五一一研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L27/02 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 朱沉雁 |
地址: | 210007 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 印制板 技术 星用超 宽带 混合 集成电路 实现 方法 | ||
本发明公开了一种基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法,使用铜衬印制板结合简单的工艺以及紧固方式完成微波电路超宽带、小型化、高可靠性实现,具体步骤如下:步骤1、根据电路功能设计电路图,选择所需的微波元器件、芯片;步骤2、微波元器件以及芯片必须保证有独立的气密封装,在星用平台情况下不允许选用塑封类器件,针对裸芯片要求厂家进行二次封装处理;步骤3、根据工作频段需要选择合适的微波电路板,其铜衬的厚度不小于0.5mm,以保证印制板的强度;步骤4、采用SMT工艺对微波电路板进行焊接,使用螺钉紧固工艺完成电路板与金属盒体的装配构成模块;步骤5、对模块进行性能测试。
技术领域
本发明属于星用微波电路小型化设计领域,具体涉及一种基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法。
背景技术
近年来星载平台应用条件下的电子产品对微波电路的小型化和轻质化提出了严苛的要求。其中微波电路的高密度集成与电路硬件的高可靠性要求的矛盾是研究和电路实施难点、重点。依托微波元器件、制造工艺和装配工艺的发展,星载微波电路小型化近年来发展迅速,主要技术途径是通过微波裸芯片、多功能芯片的大量应用,配合导电胶粘接、金锡焊接工艺来实现。由于裸芯片自身长时间暴露在空气中会有极高的失效风险,因此又需要额外的引入平行缝焊、激光封焊等气密封工艺。微波电路裸芯片的实现方式会引入多个复杂的工艺环节,在星载应用场景下具有可靠性方面的风险,且产品可测试性、维修性较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法,采用铜衬板微波多层板技术有效减小了模块的尺寸和重量,采用铜衬板微波多层板技术有效减小了模块的尺寸和重量。
实现本发明目的的技术解决方案为:一种基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法,使用铜衬印制板结合简单的工艺以及紧固方式完成微波电路超宽带、小型化、高可靠性实现,具体步骤如下:
步骤1、根据电路功能设计电路图,选择所需的微波元器件、芯片;
步骤2、微波元器件以及芯片必须保证有独立的气密封装,在星用平台情况下不允许选用塑封类器件,针对裸芯片要求厂家进行二次封装处理;
步骤3、根据工作频段需要选择合适的微波电路板,其铜衬的厚度不小于0.5mm,以保证印制板的强度;
步骤4、采用SMT工艺对微波电路板进行焊接,使用螺钉紧固工艺完成电路板与金属盒体的装配构成模块;
步骤5、对模块进行性能测试。
本发明与现有技术相比,其显著优点在于:本发明采用铜衬印制板工艺、微波器件微封装技术配合传统SMT焊接工艺技术实现了宽带射频模块的小型化,满足了在星载设备对射频电路高集成度、高可靠性等方面的要求。填补国内在此类设备的空缺。
附图说明
图1为本发明的方法流程图。
图2为本发明对应射频模块的总体框图。
图3为宽带射频模块典型频段S参数实测结果曲线图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
结合图1,一种基于铜衬印制板技术的星用超宽带混合集成电路实现方法,使用铜衬印制板结合简单的工艺以及紧固方式完成微波电路超宽带、小型化、高可靠性实现,具体步骤如下:
步骤1、根据电路功能设计电路图,并选择所需的微波元器件、芯片;
步骤2、微波元器件以及芯片必须保证有独立的气密封装,在星用平台情况下不允许选用塑封类器件,针对裸芯片需要进行二次封装处理。
微波元器件选用独立气密封装,封装需在满足星载气密封要求的基础上,在封装材料、工艺、体积、抗辐照多方面综合考虑,在保证元器件电性能的基础上确保满足星载应用要求。微波元器件以及芯片优选金属陶瓷封装器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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