[发明专利]一种Micro-LED新型显示器件的制备方法

说明书

一种Micro‑LED新型显示器件的制备方法，其特征是提供一LED供体基板，在供体基板上依次生长缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；自第二型半导体层朝向供体基板方向刻蚀至第一型半导体层和多量子阱层的界面处，形成Micro‑LED阵列，在每个Micro‑LED上形成柱状电极；提供一驱动基板，在驱动基板上形成阵列排布的多个像素电极，在各个像素电极上使用光刻胶形成凹槽，向凹槽中注入导电胶；将供体基板与驱动基板对组并加压，使得各个柱状电极通过凹槽中的导电胶与像素电极相连接，剥离供体基板和缓冲层，去除光刻胶。本发明工艺过程简单，可实现大面积高良率的Micro‑LED芯片与驱动基板的邦定。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是一种Micro-LED新型显示器件技术，具体地说是一种Micro-LED新型显示器件的制备方法。

背景技术

Micro-LED新型显示器件由于具有亮度高、发光效率高、对比度高、响应快、使用寿命长、色域高、自发光以及可以无缝拼接等特点，其性能远高于现有的LCD和OLED显示器件，因此，在微投影、透明显示器以及抬头显示器等领域有广泛的应用前景。

在Micro-LED新型显示器件中，每个像素都设置有一个Micro-LED晶粒，每个Micro-LED像素可以定址、单独驱动发光。以标准的4K超高清显示屏为例，共3840×2160=8294400个像素，对于RGB Micro-LED，共需要8294400×3=24883200个Micro-LED晶粒（晶粒数量为千万级）。因此，目前Micro-LED新型显示器件制作的工艺难点在于将巨量的Micro-LED晶粒从供体基板转移到驱动基板上。

在现有技术中，Micro-LED显示器件一般采用的是顶发射模式，通常采用倒焊接技术将整片Micro-LED芯片邦定（Bonding）到驱动背板上。然而，由于Micro-LED芯片以及驱动背板上的电极很难做到高度完全一致，从而导致部分Micro-LED晶粒不能邦定到驱动背板上，邦定效率及良率偏低。此外，对大量邦定失败的Micro-LED芯片进行修复也是一个难点，逐一修复的时间和费用成本都很高，如果能够大面积进行高良率的Micro-LED芯片邦定将有效降低Micro-LED新型显示器件的成本。

因此，如何提升Micro-LED芯片的邦定效率和良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是针对现有的Micro-LED显示器件制备过程中存在Micro-LED芯片与驱动背板的邦定效率和良率不高的问题，提供一种Micro-LED新型显示器件的制备方法，能够提升Micro-LED芯片与驱动背板的邦定效率和良率，从而实现巨量Micro-LED晶粒从供体基板到驱动基板的转移。

本发明的技术方案是：

一种Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征是：它包括如下步骤：

步骤S1、提供一LED供体基板，在所述供体基板上依次生长缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，自所述第二型半导体层朝向所述供体基板方向刻蚀至所述第一型半导体层和多量子阱层的界面处，形成Micro-LED阵列，在每个所述Micro-LED上形成柱状电极；

步骤S2、提供一驱动基板，在所述驱动基板上形成阵列排布的多个像素电极，在各个像素电极上使用光刻胶形成凹槽，向凹槽中注入导电胶；

步骤S3、将所述供体基板与所述驱动基板对组并加压，使得各个柱状电极通过所述凹槽中的导电胶与像素电极相连接，剥离供体基板和缓冲层，去除光刻胶。

所述步骤S1中的所述Micro-LED阵列的第一型半导体层是连接在一起的，并且所述第一型半导体层与一公共电极相连接，所述公共电极的高度与所述Micro-LED阵列的高度相一致。

所述步骤S1中在制备所述柱状电极前，需对所述Micro-LED阵列表面进行平坦化处理。