[发明专利]一种Micro-LED新型显示器件的制备方法

权利要求书

1.一种Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤S1、提供一LED供体基板，在所述供体基板上依次生长缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，自所述第二型半导体层朝向所述供体基板方向刻蚀至所述第一型半导体层和多量子阱层的界面处，形成Micro-LED阵列，在每个所述Micro-LED上形成柱状电极；

步骤S2、提供一驱动基板，在所述驱动基板上形成阵列排布的多个像素电极，在各个像素电极上使用光刻胶形成凹槽，向凹槽中注入导电胶；

步骤S3、将所述供体基板与所述驱动基板对组并加压，使得各个柱状电极通过所述凹槽中的导电胶与像素电极相连接，剥离供体基板和缓冲层，去除光刻胶。

2.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述Micro-LED阵列的第一型半导体层是连接在一起的，并且所述第一型半导体层与一公共电极相连接，所述公共电极的高度与所述Micro-LED阵列的高度相一致。

3.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述柱状电极的外侧面在所述供体基板上的垂直投影都在所述Micro-LED阵列内。

4.如权利要求3所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，在制备所述柱状电极前，需对所述Micro-LED阵列表面进行平坦化处理。

5.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述像素电极与所述步骤S1中的Micro-LED阵列在空间位置上是一一对应的。

6.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述光刻胶凹槽的侧壁的高度小于所述步骤S1中的所述柱状电极的高度，并且所述光刻胶凹槽的内部尺寸能够使得所述柱状电极的表面都放进所述光刻胶凹槽中。

7.如权利要求6所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述光刻胶凹槽的外侧壁在所述驱动基板上的垂直投影都在所述像素电极内。

8.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的所述导电胶能够在紫外光照射下或者在一定温度环境下固化，并且固化后可以保持良好的导电性能。

9.如权利要求5-8任一所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中向所述光刻胶凹槽内注入的所述导电胶的体积需根据所述步骤S1中的所述柱状电极的体积以及所述光刻胶凹槽本身的容积进行调整，以确保所述步骤S3中的所述柱状电极与所述像素电极连接后所述导电胶不会从所述光刻胶凹槽中溢出。

10.如权利要求1所述的Micro-LED新型显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中将所述供体基板与所述驱动基板对组并加压后，需要对所述导电胶进行固化处理。