[发明专利]一种光刻胶涂层厚度的计算方法

说明书

本发明公开了一种光刻胶涂层厚度的计算方法。根据本发明提供的光刻胶涂层厚度的计算方法，对在不同转速下形成的光刻胶涂层的厚度测量值和厚度理论值进行拟合以形成拟合方程，利用所述拟合方程计算在任意转速下形成的至少一层光刻胶涂层的厚度，提高了光刻胶涂层的计算精度。基于所述各第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述各第n层光刻胶涂层的厚度理论值进行拟合，获得光刻胶涂层的总厚度理论修正值，最终实现了多光刻胶涂层膜厚的精确计算，避免了盲目调节转速再切片确认厚度造成的晶圆浪费，大大节省了成本。还可快速精确制备出所需要的光刻胶涂层厚度，减少产品流通及开发时间。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言涉及一种光刻胶涂层厚度的计算方法。

背景技术

随着电子产业的迅猛发展，对集成电路的设计以及制造工艺提出了更高的要求，例如更高的集成度、不断缩小的关键尺寸(CD)、多功能一体化等。光刻工艺作为半导体制造中唯一生成图案的工序，其工艺制程的稳定性及精确性直接影响着产品良率。

光刻胶作为后续刻蚀工艺或注入工艺中的阻挡层，为避免介质被刻穿或注入穿透光刻胶层影响器件性能，其厚度需根据实际需求不断调整。例如在MEMS/BCD/IGBT等特色工艺中，深槽刻蚀、高剂量注入被广泛应用，对光刻胶厚度有较高要求，一般需大于2μm；若使用光刻胶作为PAD后的保护层，如聚酰亚胺，其厚度要求一般会大于10μm。随着电子产业的不断发展，特种器件芯片在制作过程中在保证分辨率的前提下必然会对光刻胶厚度提出更高的要求，例如大于20μm。当形成的单层光刻胶的厚度无法满足要求时，可以形成多层光刻胶，以使光刻胶的累加厚度达到工艺要求。

然而，由于对光刻胶涂层厚度的测量通常为破坏性的，因此有必要提出一种光刻胶涂层厚度的计算方法，以实现对光刻胶涂层厚度的精确计算。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种光刻胶涂层厚度的计算方法，包括：

提供至少两个衬底；

完成n次光刻胶涂胶，各所述衬底上均形成由下至上依次叠加的n层光刻胶涂层，不同所述衬底的光刻胶涂胶转速不同，同一所述衬底上的各层光刻胶涂层的光刻胶涂胶转速相同或不同；

测量各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度测量值，即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度测量值；

计算各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度理论值，即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度理论值；

基于所述各第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述各第n层光刻胶涂层的厚度理论值进行拟合，得到关于第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值的拟合方程；

利用所述拟合方程计算得到所述完成n次光刻胶涂胶后形成的所述衬底上的所述n层光刻胶涂层的总厚度理论修正值；

其中，n为大于或等于1的正整数。

进一步，所述基于所述各第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述各第n层光刻胶涂层的厚度理论值进行拟合，得到关于第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值的拟合方程，还包括：

所述拟合为线性拟合或二项式拟合。

进一步，所述测量各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度测量值，即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度测量值，还包括：

所述依次叠加的n层光刻胶涂层为自所述衬底上表面向上依次叠加的第一层光刻胶涂层、第二层光刻胶涂层、递增至第n层光刻胶涂层；