[发明专利]一种光刻胶涂层厚度的计算方法在审
申请号: | 202011520109.X | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN114649230A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 樊航;任涛;秦祥;贺腾飞 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G06F17/11;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 吴洋 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 涂层 厚度 计算方法 | ||
1.一种光刻胶涂层厚度的计算方法,其特征在于,包括:
提供至少两个衬底;
完成n次光刻胶涂胶,各所述衬底上均形成由下至上依次叠加的n层光刻胶涂层,不同所述衬底的光刻胶涂胶转速不同,同一所述衬底上的各层光刻胶涂层的光刻胶涂胶转速相同或不同;
测量各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度测量值,即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度测量值;
计算各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度理论值,即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度理论值;
基于所述各第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述各第n层光刻胶涂层的厚度理论值进行拟合,得到关于第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值的拟合方程;
利用所述拟合方程计算得到所述完成n次光刻胶涂胶后形成的所述衬底上的所述n层光刻胶涂层的总厚度理论修正值;
其中,n为大于或等于1的正整数。
2.如权利要求1所述的计算方法,其特征在于,所述基于所述各第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述各第n层光刻胶涂层的厚度理论值进行拟合,得到关于第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值的拟合方程,还包括:
所述拟合为线性拟合或二项式拟合。
3.如权利要求1所述的计算方法,其特征在于,所述测量各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度测量值,即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度测量值,还包括:
所述依次叠加的n层光刻胶涂层为自所述衬底上表面向上依次叠加的第一层光刻胶涂层、第二层光刻胶涂层、递增至第n层光刻胶涂层;
完成第一次光刻胶涂胶后,测量到的各所述衬底上的光刻胶涂层厚度为各所述衬底上的所述第一层光刻胶涂层的厚度测量值,即为在不同转速下形成的所述第一层光刻胶涂层的厚度测量值;
完成第n次光刻胶涂胶后,测量到的各所述衬底上的光刻胶涂层的厚度分别减去各相应的所述衬底上的所述第一层光刻胶涂层至第n-1层光刻胶涂层的厚度测量值,得到各所述衬底上的所述第n层光刻胶涂层的厚度测量值,即为在不同转速下形成的所述第n层光刻胶涂层的厚度测量值。
4.如权利要求1所述的计算方法,其特征在于,所述计算各所述衬底上的第n层光刻胶涂层的厚度理论值,即为在不同转速下形成的各第n层光刻胶涂层的厚度理论值,还包括:
采用以下方程式计算第n层光刻胶涂层的厚度理论值:
Dn2×ωn=dn2×ω′n
其中,
ωn表示预先给定的已知的第n层光刻胶涂层的光刻胶涂胶基准转速;
ω′n表示形成所述第n层光刻胶涂层的任意的光刻胶涂胶转速;
Dn表示在ωn转速下形成的第n层光刻胶涂层的光刻胶涂层的厚度测量值;
dn表示待计算的在ω′n转速下形成的第n层光刻胶涂层的厚度理论值。
5.如权利要求4所述的计算方法,其特征在于,所述拟合包括线性拟合,以确定与所述第n层光刻胶涂层的厚度测量值和所述第n层光刻胶涂层的厚度理论值相关的的线性关系拟合系数,得到关于第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值的线性关系拟合方程:
其中,
a表示第一线性关系拟合系数,且为常数;
b表示第二线性关系拟合系数,且为常数;
ωn表示预先给定的已知的第n层光刻胶涂层的光刻胶涂胶基准转速;
ω′n表示形成所述第n层光刻胶涂层的任意的光刻胶涂胶转速;
Dn表示在ωn转速下形成的光刻胶涂层的厚度测量值;
yn表示待计算的在ω′n转速下形成的第n层光刻胶涂层的厚度理论修正值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011520109.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造