[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

申请号：	202011516715.4	申请日：	2020-12-21
公开（公告）号：	CN113053839A	公开（公告）日：	2021-06-29
发明（设计）人：	山下哲生;增田晃一;村冈宏记	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L23/367	分类号：	H01L23/367;H01L23/13;H01L21/48
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	何立波;张天舒
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供即使在安装冷却体的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件、基座板及多个接触材料。基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对半导体元件进行冷却的冷却体。多个接触材料离散地配置于基座板的背面。多个接触材料用于填埋基座板和冷却体之间的散热路径中的间隙。多个接触材料的每一者具有基于基座板的背面处的翘曲形状的体积。多个接触材料中的翘曲形状的凹部处的接触材料的体积比翘曲形状的凸部处的接触材料的体积大。

技术领域

本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、FWD(Free Wheel Diode)等半导体装置安装有散热器等冷却体。由于在半导体装置的设置面及冷却体的被设置面分别存在翘曲，因此在上述半导体装置和冷却体之间产生间隙。为了填埋该间隙，通常将硅脂这样的接触材料配置于半导体装置和冷却体之间。由此，确保从半导体装置向冷却体的散热路径。

在专利文献1中公开了散热器的中央部的设置为凹形状的导热部的部件比其外侧的导热部的部件的密度高的半导体模块的冷却构造。

专利文献1：日本特开2017-079244号公报

与冷却体的被设置面相比，在多数情况下半导体装置的设置面的翘曲是多重地形成的。因此，难以将接触材料填充于翘曲的凹部，在从半导体装置至冷却体为止的散热路径形成间隙。在该情况下，半导体装置的散热特性变差。

发明内容

本发明就是为了解决上述那样的问题而提出的，其目的在于提供即使在对冷却体进行安装的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置包含半导体元件、基座板及多个接触材料。基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对半导体元件进行冷却的冷却体。多个接触材料离散地配置于基座板的背面。多个接触材料用于填埋基座板和冷却体之间的散热路径中的间隙。多个接触材料的每一者具有基于基座板的背面处的翘曲形状的体积。多个接触材料中的翘曲形状的凹部处的接触材料的体积比翘曲形状的凸部处的接触材料的体积大。

发明的效果

根据本发明，能够提供即使在对冷却体进行安装的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。

通过下面的详细说明和附图，本发明的目的、特征、方案及优点会变得更加清楚。

附图说明

图1是表示实施方式1中的半导体装置的结构的剖视图。

图2是表示实施方式1中的基座板及接触材料的结构的俯视图。

图3是表示实施方式1中的基座板及接触材料的结构的剖视图。

图4是表示实施方式1中的半导体装置经由接触材料安装于冷却体的状态的剖视图。

图5是表示实施方式5中的基座板及接触材料的结构的俯视图。

图6是表示实施方式5中的基座板及接触材料的结构的剖视图。

图7是表示实施方式6中的基座板及接触材料的结构的俯视图。

图8是表示实施方式6中的基座板及接触材料的结构的剖视图。