[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体元件；

基座板，其在表面保持有所述半导体元件，并且在背面能够安装用于对所述半导体元件进行冷却的冷却体；以及

多个接触材料，其离散地配置于所述基座板的所述背面，用于填埋所述基座板和所述冷却体之间的散热路径中的间隙，

所述多个接触材料的每一者具有基于所述基座板的所述背面处的翘曲形状的体积，

所述多个接触材料中的所述翘曲形状的凹部处的接触材料的所述体积比所述翘曲形状的凸部处的接触材料的所述体积大。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个接触材料中的在所述基座板的外周侧配置的接触材料的所述体积比在中央侧配置的接触材料的所述体积小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述多个接触材料包含彼此的面积不同的大于或等于2种图案。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

关于所述多个接触材料在每单位面积所占的面积的比率即面积占有率，所述多个接触材料具有基于所述翘曲形状的起伏程度的所述面积占有率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个接触材料包含彼此的面积相同，并且厚度不同的大于或等于2种图案。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

还具有在所述基座板的所述背面之上设置的接触材料层，

所述多个接触材料配置于所述接触材料层之上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个接触材料设置于对所述接触材料层进行设置的区域中的所述基座板的所述翘曲形状满足与所述翘曲形状相关的预先确定的条件的一部分区域。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

包含所述半导体元件的发热体设置于所述凹部的上方。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，

还具有与所述基座板的所述表面直接接触的绝缘部件，

所述半导体元件与在所述绝缘部件的表面设置的电路图案接合。

10.一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：

准备基座板，该基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对所述半导体元件进行冷却的冷却体；以及

将用于填埋所述基座板和所述冷却体之间的散热路径中的间隙的多个接触材料离散地配置于所述基座板的所述背面，

所述多个接触材料的每一者具有基于所述基座板的所述背面处的翘曲形状的体积，

所述多个接触材料中的所述翘曲形状的凹部处的接触材料的所述体积比所述翘曲形状的凸部处的接触材料的所述体积大，

配置所述多个接触材料的工序包含：

在所述基座板的所述背面之上设置具有平面且在所述平面内具有多个孔的网板，

使刮板的一个面与供给至所述网板的所述平面之上的接触材料接触，一边对所述刮板向所述基座板的方向施加应力，一边使所述刮板移动，由此将所述多个接触材料填充于所述多个孔而进行图案化。