[发明专利]具有外部电浆源的半导体制程设备及其外部电浆源在审
申请号: | 202011514962.0 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN113637954A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 洪再和 | 申请(专利权)人: | 洪再和 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/505 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 张燕华;许志影 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 外部 电浆源 半导体 设备 及其 | ||
本发明是一种具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备及其外部电浆源,该外部电浆源包含一电浆源产生装置、一射频电源供应装置及一切换装置;其中该切换装置连接于射频电源供应装置与该电浆电源产生装置之间,以决定该射频电源供应装置产生的射频电源输出至该电浆电源产生装置或该半导体制程设备;由于该外部电浆源与该半导体制程设备使用相同频率的射频电源,故能有效减少外部电浆源设置的空间,加上电浆源产生装置未内建射频电源供应装置,有效减少设置于半导体制程设备上所占的空间,有助于安装及后续检修作业。
技术领域
本发明关于一种远端电浆源设备,尤指一种具有外部电浆源的半导体制程设备及其外部电浆源。
背景技术
半导体设备厂的半导体制程设备,例如PECVD电浆处理设备,使用二组射频电源供应器,于其中反应腔室内产生电浆对晶圆进行半导体制程,而在制程结束后需要对反应腔室加以清洗,为了加强清洁效率,会额外装设一远端电浆源设备。
如图4所示,该远端电浆源设备70被应用在半导体制程设备50提供清洁其反应腔室51的电浆源,加速反应腔室的清洁效果。一般来说,该远端电浆源设备70会装设在半导体制程设备50的上方,方便输出清洁用电浆源至该些反应腔室51;然而,由于该远端电浆源设备70内设有一射频电源电路71、一匹配网络72及一电浆室73,该射频电源电路71专属提供该电浆室73用的射频电源,一般为400Hz低频的射频电源,该电浆室73内通入气体后即解离产生电浆源,该电浆源即对该半导体制程设备50的反应腔室51进行清洁。
依据实际维修经验,该远端电浆源设备70经常维修部分是匹配网络72用元件,因为远端电浆源设备70体积大且重量重,当检修人员于更换匹配网络72用元件时,须费力拆装该远端电浆源设备70,造成检修成本及费时费工,故而有必要进一步改良之。
发明内容
有鉴于上述既有整机式远端电浆源设备的缺点,本发明主要发明目的是提供一种具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备。
欲达上述目的所使用的主要技术手段是令该具有外部清洁用电浆源的半导体制程设备包含有:
一设备本体,包含一反应腔室、一第一电极及一第二电极;
一第一射频电源供应器,电性连接至该第一电极;以及
一外部电浆源,包含:
一电浆源产生装置,设置在该设备本体上方,并包含:
一第一外壳,包含有一第一射频电源输入端、一交流电源输入端、一进气口及一电浆释放口;其中该电浆释放口与该反应腔室连通;
一电浆室,设置在该第一外壳内,并与该进气口及该电浆释放口连通;以及
一匹配网络,设置在该第一外壳内,与该第一射频电源输入端及该交流电源输入端电性连接,并与该电浆室耦接;
一切换器,包含有一第二射频电源输入端、一第一切换端及一第二切换端;其中该第一切换端电性连接至该电浆源产生装置的第一射频电源输入端,该第二切换端电性连接至该设备本体的第二电极;以及
一第二射频电源供应装置,包含有:
一第二外壳,包含有一射频电源输出端,该射频电源输出端电性连接至该切换器的第二射频电源输入端;以及
一射频电源电路,设置于该第二外壳内,并电性连接至该射频电源输出端。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的